特許
J-GLOBAL ID：200903086057152270

エネルギ線硬化型樹脂の転写方法、転写装置及びディスクまたは半導体デバイス

発明者：
片保 秀明

片保 秀明 について

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岡田 弘

岡田 弘 について

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和田 憲也

和田 憲也 について

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市川 久賀

市川 久賀 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 影井 俊次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-199578
公開番号（公開出願番号）：特開2008-023868
出願日： 2006年07月21日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：
【課題】高アスペクト構造のナノプリントを樹脂に高精度に転写できるようにする。【解決手段】樹脂層2を積層した基板1を載置した位置決め部材3を突き上げ、基板1の表面に積層されている樹脂層2を転写用型4の転写面4aで加圧し、転写用型4の転写面4aの凹凸形状を樹脂層2に転写し、加圧したままで、紫外線照射装置6をONして、転写用型4を通して紫外線を樹脂層2に照射させて、樹脂層2の架橋反応が開始させるが半硬化状態になったときに、紫外線照射装置6からの紫外線の照射を中断し、かつ残留応力を開放するために、加圧機7による加圧力を一度解除して、内部応力がほぼ残存しないように開放された後に、再び紫外線照射装置6を作動させて、紫外線を樹脂層2に照射することによって、樹脂層2を完全に硬化させる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板表面にエネルギ線硬化型樹脂からなる樹脂層を積層させて、この樹脂層に転写用型を当接させて、エネルギ線を照射することにより転写用型の転写面の凹凸パターンを樹脂層に転写するようにして硬化させる方法において、 前記転写用型を前記樹脂層に対して加圧力を作用させて、この樹脂層の表面に前記転写面の凹凸パターン形状を転写させる樹脂加圧工程と、 この加圧力を保ったままで、前記樹脂層に前記エネルギ線を照射させる第1段階硬化工程と、 前記樹脂層の硬化途中段階で前記エネルギ線の照射を中断し、この樹脂層への前記転写用型による加圧力を解除することにより応力を開放する硬化中断応力開放工程と、 前記樹脂層への前記エネルギ線の照射を再開して、前記樹脂層に対して前記転写用型を接触させるが、非加圧状態にして硬化させる第2段階硬化工程と からなるエネルギ線硬化型樹脂の転写方法。
IPC (6件)：
B29C 59/02 ,  H01L 21/027 ,  B05D 7/24 ,  B81C 5/00 ,  G03F 7/20 ,  G11B 7/26
FI (6件)：
B29C59/02 Z ,  H01L21/30 502D ,  B05D7/24 301T ,  B81C5/00 ,  G03F7/20 501 ,  G11B7/26 531
Fターム (32件)：
2H097AA20 ,  2H097LA20 ,  4D075AC41 ,  4D075BB46Z ,  4D075BB47Z ,  4D075DA06 ,  4D075DC22 ,  4D075EA21 ,  4F209AA44 ,  4F209AC05 ,  4F209AF01 ,  4F209AG03 ,  4F209AG05 ,  4F209AH73 ,  4F209AH75 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5D121AA06 ,  5D121DD06 ,  5D121DD17 ,  5D121EE23 ,  5D121EE24 ,  5D121EE26 ,  5D121EE28 ,  5D121GG02 ,  5D121GG10 ,  5D121GG28 ,  5F046AA28
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (11件)
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