特許
J-GLOBAL ID：201303096795447631
発光装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-084810
公開番号（公開出願番号）：特開2013-156653
出願日： 2013年04月15日
公開日（公表日）： 2013年08月15日
要約：
【課題】エレクトロルミネッセンス素子が発光する際のエレクトロルミネッセンス素子に流れる電流を減少させることなく、エレクトロルミネッセンス素子の劣化によるエレクトロルミネッセンス素子の輝度の低下を制御する技術を提供する。【解決手段】エレクトロルミネッセンス素子の発光時に前記エレクトロルミネッセンス素子の電極間の電位差に相当する電荷を蓄積容量に蓄積して保持し、該電荷から該電位差を検出し、検出された電位差に基づいて、前記エレクトロルミネッセンス素子の基準電位を変化させて、前記エレクトロルミネッセンス素子の輝度を補正する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
エレクトロルミネッセンス素子と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、容量素子と、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、電源供給手段と、を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記エレクトロルミネッセンス素子の一対の電極のうちの一方と電気的に接続され、
前記エレクトロルミネッセンス素子の一対の電極のうちの他方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子の一対の電極のうちの一方と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の一対の電極のうちの一方は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記容量素子の一対の電極のうちの他方は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の一対の電極のうちの一方と、前記第1のトランジスタの半導体層と、は、同じ層に設けられ、
前記容量素子の一対の電極のうちの他方と、前記第1のトランジスタのゲート電極と、は、同じ層に設けられ、
前記第1のトランジスタは、前記エレクトロルミネッセンス素子に電流を供給することができる機能を有し、
前記第1の配線は、第1の電位を伝達することができる機能を有し、
前記第2の配線は、第2の電位を伝達することができる機能を有し、
前記第3の配線は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方の電位を伝達することができる機能を有し、
前記電源供給手段は、前記第2の配線に前記第2の電位を供給することができる機能を有する発光装置であって、
前記エレクトロルミネッセンス素子が発光するときに、前記第1のトランジスタを飽和領域で動作するように制御することができる機能を有することを特徴とする発光装置。
IPC (3件)：
G09G 3/30
, G09G 3/20
, H01L 51/50
G09G3/30 J
, G09G3/20 624B
, G09G3/20 670J
, G09G3/20 642A
, H05B33/14 A
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC02
, 3K107CC21
, 3K107EE03
, 3K107HH04
, 3K107HH05
, 5C080AA06
, 5C080DD03
, 5C080DD19
, 5C080FF11
, 5C080HH09
, 5C080JJ02
, 5C080JJ03
, 5C080JJ04
, 5C080JJ05
, 5C080JJ06
, 5C080KK07
, 5C380AA01
, 5C380AA02
, 5C380AB06
, 5C380AB22
, 5C380AB25
, 5C380AC07
, 5C380AC08
, 5C380AC09
, 5C380AC11
, 5C380AC12
, 5C380BB04
, 5C380BB21
, 5C380BD04
, 5C380CC02
, 5C380CC30
, 5C380CD012
, 5C380CD013
, 5C380CD024
, 5C380CD025
, 5C380FA02
, 5C380FA03
, 5C380HA03
, 5C380HA05
