特許
J-GLOBAL ID：201303097606352850

半導体装置の作製方法及び半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
本田 達也

本田 達也 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-134402
公開番号（公開出願番号）：特開2013-021313
出願日： 2012年06月14日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：
【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造を提供する。【解決手段】異なるエネルギーギャップを有する、少なくとも第1の酸化物半導体層及び第2の酸化物半導体層を積層させた酸化物半導体積層であって、化学量論的組成比よりも過剰に酸素を含む領域を有する酸化物半導体積層を用いてトランジスタを形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の酸化物半導体層と、前記第1の酸化物半導体層と異なるエネルギーギャップを有する第2の酸化物半導体層と、を含む酸化物半導体積層を形成し、 前記酸化物半導体積層上にソース電極層またはドレイン電極層を形成し、 前記ソース電極層または前記ドレイン電極層上にゲート絶縁膜を形成し、 前記ゲート絶縁膜上から、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層をマスクとして前記酸化物半導体積層に自己整合的に酸素を導入し、 前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体積層と重畳するゲート電極層を形成する半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (8件)：
H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618G ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 616M ,  H01L29/78 616K ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (93件)：
3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107EE04 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110BB02 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG55 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ22 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HM02 ,  5F110HM04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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