特許
J-GLOBAL ID：200903085623173080

低順電圧で低逆電流の動作特性を有する窒化ガリウムベースのダイオード

発明者：
プリミット パリーク

プリミット パリーク について

, 
ウメシュ ミシュラ

ウメシュ ミシュラ について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-264568
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016875
出願日： 2008年10月10日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：
【課題】オン状態電圧(Vf)が低く、逆電流(Irev)を比較的低く保つ構造を有する、新しいIII族ベースのダイオードを可能にすること。【解決手段】本発明の一実施形態は、そのフェルミ準位(または表面ポテンシャル)がピン止めされないGaN系材料から作成されたショットキー障壁ダイオード(10)である。金属-半導体接合での障壁ポテンシャル(33)は、使用する金属(16)のタイプに応じて変動し、特定の金属を使用することにより、ダイオードのショットキー障壁のポテンシャル(33)が下がり、Vfが0.1〜0.3Vの範囲となる。別の実施形態(40)では、トレンチ構造(45)が、逆漏れ電流を低減するためにショットキーダイオード半導体材料(44)上に形成され、隣接するトレンチ(46)の間にメサ領域(49)を有するいくつかの平行な等間隔のトレンチ(46)を有する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
n+に不純物を添加された層(52)と、 前記n+に不純物を添加された層(52)に隣接するn-に不純物を添加された層(53)と、 前記n+に不純物を添加された層(52)と反対側の、前記n-に不純物を添加された層(53)に隣接する障壁層(54)と、 前記n-に不純物を添加された層(53)の反対側の、前記障壁層(54)上の金属層(56)であって、前記n-に不純物を添加された層(53)は、前記障壁層(54)と共に障壁ポテンシャル(81)を有する接合を形成し、前記障壁ポテンシャル(81)により、順バイアス下で前記障壁ポテンシャル(81)を通過する電子トンネル効果の結果としてダイオードのオン状態電圧が低くなる金属層(56)と を備えたことを特徴とするトンネルダイオード。
IPC (3件)：
H01L 29/88 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (2件)：
H01L29/88 F ,  H01L29/48 D
Fターム (10件)：
4M104AA04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104FF03 ,  4M104FF31 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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