特許
J-GLOBAL ID：200903085623173080
低順電圧で低逆電流の動作特性を有する窒化ガリウムベースのダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-264568
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016875
出願日： 2008年10月10日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：
【課題】オン状態電圧(Vf)が低く、逆電流(Irev)を比較的低く保つ構造を有する、新しいIII族ベースのダイオードを可能にすること。【解決手段】本発明の一実施形態は、そのフェルミ準位(または表面ポテンシャル)がピン止めされないGaN系材料から作成されたショットキー障壁ダイオード(10)である。金属-半導体接合での障壁ポテンシャル(33)は、使用する金属(16)のタイプに応じて変動し、特定の金属を使用することにより、ダイオードのショットキー障壁のポテンシャル(33)が下がり、Vfが0.1〜0.3Vの範囲となる。別の実施形態(40)では、トレンチ構造(45)が、逆漏れ電流を低減するためにショットキーダイオード半導体材料(44)上に形成され、隣接するトレンチ(46)の間にメサ領域(49)を有するいくつかの平行な等間隔のトレンチ(46)を有する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
n+に不純物を添加された層(52)と、
前記n+に不純物を添加された層(52)に隣接するn-に不純物を添加された層(53)と、
前記n+に不純物を添加された層(52)と反対側の、前記n-に不純物を添加された層(53)に隣接する障壁層(54)と、
前記n-に不純物を添加された層(53)の反対側の、前記障壁層(54)上の金属層(56)であって、前記n-に不純物を添加された層(53)は、前記障壁層(54)と共に障壁ポテンシャル(81)を有する接合を形成し、前記障壁ポテンシャル(81)により、順バイアス下で前記障壁ポテンシャル(81)を通過する電子トンネル効果の結果としてダイオードのオン状態電圧が低くなる金属層(56)と
を備えたことを特徴とするトンネルダイオード。
IPC (3件)：
H01L 29/88
, H01L 29/47
, H01L 29/872
H01L29/88 F
, H01L29/48 D
4M104AA04
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB36
, 4M104FF03
, 4M104FF31
, 4M104GG02
, 4M104GG03
出願人引用 (3件)
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米国特許Nos.Re.34861
-
米国特許第4946547号
-
米国特許第5200022号
審査官引用 (5件)
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引用文献：
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