特許

J-GLOBAL ID：201303098788271849

シナプス動作素子

発明者： 長谷川 剛 ,  青野 正和 ,  大野 武雄 ,  鶴岡 徹 ,  寺部 一弥 ,  ジェイムス ジムジェフスキー
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-127824
公開番号（公開出願番号）：特開2012-256657
出願日： 2011年06月08日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：

【課題】短期記憶(短期可塑性)と長期記憶(長期増強)を実現可能なシナプス動作素子を提供する。【解決手段】イオン拡散材料からなる電極と金属からなる電極を間隙をもって配置する。このとき、1回の電圧印加では電極間に架橋が形成されない入力信号を用いることで、入力頻度や電圧の大きさ・幅に依存した記憶状態の保持と減衰を実現する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

内部を金属イオンが拡散可能な材料であるイオン拡散材料からなる電極と、前記電極と間隙を持って配置された金属電極とで構成され、信号入力によって前記電極間の伝導度が変化するシナプス動作素子であって、前記電極間の伝導度が閾値よりも小さい場合には前記電極間への電圧印加が無い状態でも伝導度の減衰が起こり、前記電極間の伝導度が閾値よりも大きい場合には電圧印加が無い状態では伝導度の変化が起こらないことを特徴とするシナプス動作素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (6件)：

5F083FZ07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F083ZA21

引用特許：

審査官引用 (4件)

• コンダクタンスの制御が可能な電子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-265344   出願人：科学技術振興事業団, 理化学研究所
• 強誘電体ダイオード素子、並びにそれを用いたメモリー装置、フィルター素子及び疑似脳神経回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-055951   出願人：三菱化学株式会社
• ポイントコンタクト・アレー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-334686   出願人：科学技術振興事業団, 理化学研究所
• 特開昭63-133465