特許
J-GLOBAL ID：201303099049866610

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
松林 大介

松林 大介 について

, 
村山 佳右

村山 佳右 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-052035
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243343
出願日： 2013年03月14日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：
【課題】しきい値電圧のマイナス化が低減された、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタを有する高品質の半導体装置を提供する。【解決手段】第1の領域〜第3の領域を有する酸化物半導体膜をトランジスタに用い、酸化物半導体膜は、第1の領域では、上面においてソース電極又はドレイン電極と接し、第2の領域では、上面において保護絶縁膜と接し、且つ第1の領域における最大膜厚より小さい膜厚で概略均一な膜厚を有し、第3の領域では、上面及び側面において保護絶縁膜と接する構成とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上のゲート電極と、 前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、 少なくとも前記ゲート電極の一部と重畳する、前記ゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜上のソース電極及びドレイン電極と、 前記酸化物半導体膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上の保護絶縁膜と、を有し、 前記酸化物半導体膜は、第1の領域と、チャネル形成領域である第2の領域及び第3の領域と、を有し、 前記酸化物半導体膜は、前記第1の領域では、上面において前記ソース電極又は前記ドレイン電極と接し、前記第2の領域では、上面において前記保護絶縁膜と接し、且つ前記第1の領域における最大膜厚より小さい膜厚で概略均一な膜厚を有し、前記第3の領域では、上面及び側面において前記保護絶縁膜と接する半導体装置。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (2件)：
H01L29/78 618C ,  H01L29/78 618B
Fターム (61件)：
5F110AA08 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD24 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN13 ,  5F110NN14 ,  5F110NN15 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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