薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタを有する表示装置、ならびにそれらの作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-257705
公開番号（公開出願番号）：特開2009-111364
出願日： 2008年10月02日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、ならびにそれらを作製する方法を提案する。【解決手段】ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成される微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜上に形成されるバッファ層と、バッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、ゲート絶縁膜の一部または全部、若しくは微結晶半導体膜の一部または全部にドナーとなる不純物元素を含む薄膜トランジスタである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極上に形成され、ドナーとなる不純物元素を含むゲート絶縁膜と、前記ドナーとなる不純物元素を含むゲート絶縁膜上に形成される微結晶半導体膜と、前記微結晶半導体膜上に形成されるバッファ層と、前記バッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、前記一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/318 , H01L 21/205 , G02F 1/136

FI (7件)：

H01L29/78 617T , H01L29/78 617U , H01L29/78 618E , H01L29/78 618A , H01L21/318 C , H01L21/205 , G02F1/1368

Fターム (98件)：

2H092GA29 , 2H092JA26 , 2H092JA36 , 2H092JA38 , 2H092JA46 , 2H092JB61 , 2H092KA02 , 2H092KA04 , 2H092KA08 , 2H092KA10 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KB25 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA11 , 2H092MA13 , 2H092MA14 , 2H092MA18 , 2H092NA01 , 2H092NA07 , 2H092NA21 , 2H092NA22 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 5F045AA08 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AC19 , 5F045AD06 , 5F045AE21 , 5F045AF08 , 5F045CA15 , 5F045DA52 , 5F045DA57 , 5F058BC11 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF31 , 5F058BJ01 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF07 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG37 , 5F110GG45 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK15 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110HK27 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110QQ02 , 5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (13件)

特開平4-242724号公報
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-182073 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-405492 出願人：ソニー株式会社

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審査官引用 (11件)

薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-405492 出願人：ソニー株式会社
特開昭63-258072
半導体薄膜トランジスタおよび該半導体薄膜トランジスタを含む半導体薄膜トランジスタアレイ基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-337001 出願人：株式会社アドバンスト・ディスプレイ

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