特許
J-GLOBAL ID：201303099073445056
ゲルマニウム・ホール・プレートを有する集積ホール効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
小野 新次郎
, 小林 泰
, 富田 博行
, 星野 修
, 上田 忠
, 末松 亮太
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-553910
公開番号（公開出願番号）：特表2013-520794
出願日： 2011年01月10日
公開日（公表日）： 2013年06月06日
要約：
集積回路及びその集積回路を製造する方法は、ゲルマニウム・ホール・プレートを有するホール効果素子を提供する。このゲルマニウム・ホール・プレートは、シリコンと比較して増大した電子移動度を提供し、それ故、より高感度なホール効果素子を提供する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
集積回路を製造する方法であって、ホール効果素子を製造するステップを含んでおり、該ホール効果素子を製造するステップが、
シリコン基板の上にエピ層を形成するステップと、
前記エピ層の上に第1の絶縁層を形成するステップと、
前記第1絶縁層、前記エピ層、又は前記基板のうち少なくとも1つにキャビティを形成するステップと、
前記ホール効果素子のホール・プレートに対応するゲルマニウム構造を形成するために、ゲルマニウムを前記キャビティに堆積させるステップと、
を含む、方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
5F092AA01
, 5F092AC02
, 5F092AD06
, 5F092BA04
, 5F092BA12
, 5F092BA19
, 5F092BA21
, 5F092BA22
, 5F092BA23
, 5F092BA32
, 5F092BA40
, 5F092CA03
, 5F092CA20
