特許
J-GLOBAL ID：200903046970578930
磁気センサ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-299161
公開番号（公開出願番号）：特開2007-108011
出願日： 2005年10月13日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】感度を向上させる磁気増幅構造を有する小型で高感度かつ温度特性の良好な磁気センサ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】感磁部11aを有する半導体薄膜11は基板10上に設けられ、感磁部11aの両端部には金属電極12が設けられている。感磁部11a付近の表側には保護層13を介して第1の下地層14が設けられ、第1の下地層14上には磁気増幅機能を有する第1の磁性体17が設けられている。基板10上で感磁部11aの裏側には第2の下地層15が設けられ、第2の下地層15上には、第1の磁性体17とともに磁気増幅機能を有する第2の磁性体18が設けられている。磁性体メッキを行なうだけの簡便な製造工程で磁気増幅構造とすることができ、小型化かつ高感度で温度特性が良好な磁気センサを実現することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
感磁部の両側を、磁気増幅機能を有する磁性体で挟持するようにした構造を有する磁気センサにおいて、
基板上に設けられた、前記感磁部を有する半導体薄膜と、
前記感磁部の表側に設けられた第1の下地層と、
該第1の下地層上に設けられた磁気増幅機能を有する第1の磁性体と、
前記基板上で前記感磁部の裏側に設けられた第2の下地層と、
該第2の下地層上に設けられ、前記第1の磁性体とともに磁気増幅機能を有する第2の磁性体とを備え、
前記第1の磁性体と前記第2の磁性体とがメッキ処理により形成されたメッキ層であり、前記感磁部が前記第1の磁性体と前記第2の磁性体とで挟持されていることを特徴とする磁気センサ。
IPC (5件)：
G01R 33/07
, G01R 33/09
, G01R 33/02
, H01L 43/06
, H01L 43/14
G01R33/06 H
, G01R33/06 R
, G01R33/02 V
, H01L43/06 Z
, H01L43/14
, H01L43/06 M
2G017AC07
, 2G017AD52
, 2G017AD54
, 2G017AD65
出願人引用 (3件)
審査官引用 (7件)
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