特許
J-GLOBAL ID：201303099551935129
電子部材の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金山 聡
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-208458
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085567
特許番号：特許第4712940号
出願日： 2000年07月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 エッチング加工法、プレス加工法、めっき加工法等により、外形加工あるいは孔開け加工された導電性の基材をベース基材とする電子部材で、導電性の基材は、絶縁性の樹脂層により被膜され、更に、樹脂層の表面部の全面にあるいは一部に、無電解めっき層、電解めっき層からなる導電性層を設けている電子部材を、製造するための電子部材の製造方法であって、(a)エッチング加工法、プレス加工法、めっき加工法等により、外形加工あるいは孔開け加工された導電性の基材の表面部に、絶縁性の樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、(b)導電性の基材の表面部に形成された樹脂層の表面粗度を調整するウエットブラスト処理を施す、ウエットブラスト処理工程と、(c)絶縁性の樹脂層により被膜された導電性の基材の表面部に、無電解めっきを施し、無電解めっき層を形成する無電解めっき処理工程と、(d)無電解めっき層上全面にあるいは一部に電解めっきにより電解めっき層を形成する電解めっき処理工程とを有し、無電解めっき処理工程の後、導電性の基材の、無電解めっき層上に所定領域を開口した耐めっき性のレジストを設けるレジストパターニング工程と、レジストの開口から露出した無電解めっき層上に電解めっきを施す、電解めっき処理工程と、レジストを剥離するレジスト剥離工程と、露出している無電解めっき層をエッチング除去するエッチング工程とを行うものであり、且つ、孔開け加工された導電性の基材をベース基材とし、基材を被膜する樹脂層の表面部の一部に、無電解めっき層、電解めっき層からなる導電性層を配線とする配線部を設けている配線基板を形成するもので、無電解めっき処理工程の後、導電性の基材の、無電解めっき層上に、形成する配線部領域、導電性の基材の孔部を含む領域を開口した耐めっき性のレジストを設けるレジストパターニング工程と、レジストの開口から露出した無電解めっき層上に電解めっきを施し、基材の孔部を埋める電解めっき処理を施す電解めっき処理工程と、レジストを剥離するレジスト剥離工程と、露出している無電解めっき層をエッチング除去するエッチング工程とを行うもので、前記配線基板は、孔部の無電解めっきと電解めっきからなる導電性層をビアホールとして、該配線基板同志を複数層積層するための、多層配線基板作製用の配線基板、あるいは、配線部形成側と反対側の、孔部の無電解めっきと電解めっきからなる導電性層形成部分を外部端子とする半導体装置用配線基板であることを特徴とする電子部材の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, C23C 18/22 ( 200 6.01)
, C25D 7/00 ( 200 6.01)
, H05K 3/06 ( 200 6.01)
, H05K 3/38 ( 200 6.01)
, H05K 3/46 ( 200 6.01)
H01L 23/12 Q
, C23C 18/22
, C25D 7/00 G
, H05K 3/06 K
, H05K 3/06 C
, H05K 3/38 A
, H05K 3/46 G
, H05K 3/46 N
