研究者
J-GLOBAL ID：201401071774788576   更新日: 2024年04月21日

齊藤 雄太

サイトウ ユウタ | Saito Yuta
所属機関・部署：
東北大学 グリーンクロステック研究センター

東北大学 グリーンクロステック研究センター について


職名： 教授
その他の所属（所属・部署名・職名） (1件)：
  • 東北大学  大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻   教授
ホームページURL (1件)： https://kinoudenshi.material.tohoku.ac.jp/
研究分野 (1件)： 無機材料、物性
研究キーワード (11件)： 電子材料 ,  2次元材料 ,  結晶化 ,  アモルファス ,  相変化メモリ ,  層状物質 ,  トポロジカル絶縁体 ,  第一原理計算 ,  超格子 ,  カルコゲナイド薄膜 ,  相変化材料
競争的資金等の研究課題 (18件)：
  • 2023 - 2026 Geナノシートチャネルの精密構造制御及びvdWコンタクトにおけるキャリア輸送解明
  • 2023 - 2026 非平衡ポリモルフィック結晶化メカニズムの解明と電子デバイス応用
  • 2021 - 2026 多形メモリテクノロジーの創成
  • 2022 - 2025 超高速光磁気効果を用いたトポロジカル物質におけるスピンダイナミクスの研究
  • 2021 - 2024 次世代新メモリに向けたディスプレイシブ相転移型多形半導体の開拓
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論文 (111件)：
  • Shogo Hatayama, Kotaro Makino, Yuta Saito. Phase-change behavior of RuSbTe thin film for photonic applications with amplitude-only modulation. Scientific Reports. 2024
  • Kentaro Saito, Shogo Hatayama, Yuta Saito. Modified Electronic Structure of Amorphous Mn-Si-Te for Ovonic Threshold Switch Application: Improved Thermal Stability by the Formation of Mn-Te Bonding. physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters. 2024
  • Naoya Okada, Wen Hsin Chang, Shogo Hatayama, Yuta Saito, Toshifumi Irisawa. Electrical properties and band alignments of Sb2Te3/Si heterojunctions, low-barrier Sb2Te3/n-Si and high-barrier Sb2Te3/p-Si junctions. Applied Physics Express. 2024
  • Takumi Fukuda, Kotaro Makino, Yuta Saito, Paul Fons, Atsushi Ando, Takuya Mori, Ryo Ishikawa, Keiji Ueno, Jessica Afalla, Muneaki Hase. Coherent optical response driven by non-equilibrium electron-phonon dynamics in a layered transition-metal dichalcogenide. APL Materials. 2024
  • Shogo Hatayama, Shunsuke Mori, Yuta Saito, Paul J. Fons, Yi Shuang, Yuji Sutou. Nonvolatile Isomorphic Valence Transition in SmTe Films. ACS Nano. 2024
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MISC (94件)：
  • 畑山祥吾, 齊藤雄太, 齊藤雄太, 内田紀行, 内田紀行. Hf-O-Te系アモルファス薄膜の組成制御によるセレクタ機能の発現. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • 齊藤雄太, 畑山祥吾, 諸田美砂子. 配向制御したカルコゲナイド相変化材料薄膜. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 69th
  • 畑山祥吾, 畑山祥吾, 小林啓介, 小林啓介, 齊藤雄太, FONS Paul, FONS Paul, YI Shuang, 森竣祐, KOLOBOV Alexander V., et al. 遷移金属含有アモルファスカルコゲナイドの低抵抗化機構の解明. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
  • 齊藤雄太, 畑山祥吾, 畑山祥吾, YI Shuang, FONS Paul, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., KOLOBOV Alexander V., 須藤祐司. 層状カルコゲナイドにおける化学結合の次元変化を伴う結晶化. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 82nd
  • 齊藤雄太. 次世代電子デバイス用カルコゲナイド系相変化材料の研究. まてりあ. 2020. 59. 7
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特許 (9件)：
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講演・口頭発表等 (38件)：
  • スパッタ法による高配向Bi-Te薄膜の成膜と電子状態解析
    (日本金属学会講演概要(CD-ROM) 2019)
  • 不揮発性相変化メモリ用遷移金属カルコゲナイド相変化材料の開発
    (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2019)
  • 高強度THz電場による相変化材料におけるゼナートンネリング誘起結晶成長の解明
    (日本物理学会講演概要集(CD-ROM) 2018)
  • テラヘルツ波デバイスに向けたGe<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>相変化材料の評価
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
  • 不揮発性メモリ用遷移金属相変化材料の電子構造の解明
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018)
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学歴 (3件)：
  • 2010 - 2013 東北大学大学院 工学研究科 知能デバイス材料学専攻 博士課程
  • 2008 - 2010 東北大学大学院 工学研究科 知能デバイス材料学専攻 修士課程
  • 2004 - 2008 東北大学 工学部 材料科学総合学科
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (東北大学)
経歴 (9件)：
  • 2023/11 - 現在 東北大学 グリーンクロステック研究センター 教授
  • 2023/04 - 2023/10 国立研究開発法人産業技術総合研究所 研究グループ長
  • 2022/04 - 2023/03 国立研究開発法人産業技術総合研究所 企画主幹
  • 2018/10 - 2022/03 国立研究開発法人産業技術総合研究所 主任研究員
  • 2018/04 - 2018/09 国立研究開発法人産業技術総合研究所 研究員
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委員歴 (6件)：
  • 2021/04 - 現在 公益社団法人 日本金属学会 講演大会委員
  • 2021/03 - 現在 公益社団法人 日本金属学会 会報誌「まてりあ」編集委員
  • 2016/04 - 現在 相変化研究会 (PCOS) 幹事
  • 2016/04 - 2020/10 Electrochemical Society (ECS), Non-volatile memory Symposium, Symposium Organizer
  • 2016/04 - 2017/04 2017 Materials Research Society (MRS) Spring Meeting & Exhibit, Symposium Organizer
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受賞 (5件)：
  • 2022/09 - 公益社団法人 日本金属学会 第19回 日本金属学会村上奨励賞 「機能性カルコゲナイド薄膜の材料評価とデバイス応用に関する研究」
  • 2019/09 - 公益社団法人 日本金属学会 日本金属学会奨励賞[物性部門] 「新規カルコゲナイド相変化材料の開発とその実用化研究」
  • 2019/03 - 公益社団法人 応用物理学会 応用物理学会講演奨励賞 「不揮発性メモリ用遷移金属相変化材料の電子構造の解明」
  • 2016/09 - 公益社団法人日本金属学会 第6回 日本金属学会まてりあ論文賞 「不揮発性メモリ用Ge-Cu-Te 系相変化材料の研究」
  • 2014/09 - EPCOS2014 Best Presentation Award
所属学会 (3件)：
Materials Research Society ,  日本金属学会 ,  応用物理学会
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