特許
J-GLOBAL ID：201603008751384736
多段相変化材料および多値記録相変化メモリ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
青木 篤
, 石田 敬
, 古賀 哲次
, 出野 知
, 胡田 尚則
, 関根 宣夫
, 藤本 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-124774
公開番号（公開出願番号）：特開2016-004924
出願日： 2014年06月17日
公開日（公表日）： 2016年01月12日
要約：
【課題】多値記録に適する新規な多段相変化材料を用いた多値記録相変化メモリ素子を提供する。【解決手段】多値記録相変化メモリ素子は、抵抗が一段階変化を示す相変化材料で形成された第1の相変化層と、抵抗が二段階変化を示す多段相変化材料で形成された第2の相変化層とを備えるメモリ層を具備する。多段相変化材料は、一般化学式、GexCuyTe100-x-yの組成を有し、式中、at.%で、18.0≦x≦36.0、16.0≦y≦32.0、45≦x+y≦55である。第1の相変化層の抵抗変化の温度は第2の相変化層の第1段階目の抵抗変化の温度より低く、第1の相変化層の非晶質相の抵抗が第2の相変化層の非晶質相の抵抗よりも高い。又は、第1の相変化層の抵抗変化の温度は、第2の相変化層の第1段階目の抵抗変化の温度と第2段階目の抵抗変化の温度との間であり、第1の相変化層の非晶質相の抵抗が第2の相変化層の非晶質相の抵抗よりも低い。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
温度の上昇と共に電気抵抗が一段階の変化を示す相変化材料で形成された第1の相変化層と、
温度の上昇と共に電気抵抗が二段階の変化を示す多段相変化材料で形成された第2の相変化層と、
を備えるメモリ層を具備し、
前記多段相変化材料は、
一般化学式、
GexCuyTe100-x-y
で示される組成を有し、式中、xは18.0(at.%)以上、36.0(at.%)以下、yは16.0(at.%)以上、32.0(at.%)以下の範囲内で、45(at.%)≦x+y≦55(at.%)となるように選択される多段相変化材料であり、
前記第1の相変化層の電気抵抗は、前記第2の相変化層における第1段階目の電気抵抗の変化が生じる温度よりも低い温度で一段階で変化し、
前記第1の相変化層のアモルファス相の電気抵抗が、前記第2の相変化層のアモルファス相の電気抵抗よりも高い、4値の情報の書き込みが可能な多値記録相変化メモリ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 448
, H01L45/00 A
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083GA11
, 5F083GA27
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA56
, 5F083JA60
, 5F083PR40
, 5F083ZA21
