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J-GLOBAL ID：201402209581650009   整理番号：14A0225221

実用化に向けて加速するSiC半導体の周辺技術開発と次世代フェーズへの取り組み 16kV級超高耐圧SiC IE-IGBTの開発

著者 (20件)： 米澤喜幸 (産業技術総合研) ,  水島智教 (産業技術総合研) ,  竹中研介 (産業技術総合研) ,  藤澤弘幸 (産業技術総合研) ,  岡本光央 (産業技術総合研) ,  吉川満 (産業技術総合研) ,  松永慎一郎 (産業技術総合研) ,  加藤智久 (産業技術総合研) ,  岡本大 (産業技術総合研) ,  原田信介 (産業技術総合研) ,  田中保宜 (産業技術総合研) ,  熊谷直樹 (産業技術総合研) ,  出口忠義 (産業技術総合研) ,  宮島將昭 (産業技術総合研) ,  木村浩 (産業技術総合研) ,  武井学 (産業技術総合研) ,  大月章宏 (産業技術総合研) ,  福田憲司 (産業技術総合研) ,  奥村元 (産業技術総合研) ,  木本恒暢 (産業技術総合研)
資料名： 工業材料  (Engineering Materials)
巻： 62  号： 3  ページ： 36-39  発行年： 2014年03月01日 
JST資料番号： F0172A  ISSN： 0452-2834  CODEN： KZAIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： エピタキシャル成長によってp型SiC基板を作製するフリップ型の基板作製方法およびチャネル部形成にSiC基板のカーボン面を利用したIE構造を採用して,10kV以上の超高耐圧性と低オン抵抗性を併せ持つSiC IE-IGBTの作製が可能になったので報告した。nチャネルIE-IGBTデバイスの構造とフリップタイプウエハの作製について述べた。試作したSiC IE-IGBTのデバイス特性を紹介した。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  電力トランジスタ ,  *IGBT ,  ウエハ【IC】 ,  基板 ,  エピタクシー ,  絶縁耐力 ,  イオン注入 ,  接合形FET ,  発光 ,  オン抵抗 ,  素子構造
準シソーラス用語： 高耐圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： 実用化 ,  加速 ,  SiC ,  周辺技術 ,  開発 ,  次世代 ,  フェーズ ,  高耐圧 ,  IE ,  IGBT