文献

J-GLOBAL ID：201402221405270925   整理番号：14A1272816

ScAlMgO₄(0001)基板上へのGaNおよび格子整合InGaNの有機金属気相エピタキシ

Metalorganic vapor phase epitaxy of GaN and lattice-matched InGaN on ScAlMgO₄(0001) substrates

著者 (5件)： OZAKI Takuya (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  TAKAGI Yoshinori (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NISHINAKA Junichi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUNATO Mitsuru (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAWAKAMI Yoichi (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 7  号： 9  ページ： 091001.1-091001.4  発行年： 2014年09月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ScAlMgO₄(0001)はGaNの有機金属気相エピタキシ(MOVPE)に用いることができ,低温GaNバッファー層を用いてSCAM(0001)上に成長させた格子整合InGaNは優れた構造的品質を示す。これはGaN-SCAM界面がMOVPEにおいて安定であることを示すものである。SCAM(0001)上の格子整合InGaNにとって,低温で成長した格子整合InGaNバッファー層は表面およびルミネセンスの均一性を効果的に改善する。成長したInGaNはほとんど無歪みで室温で505nmにピークをもつ光ルミネセンスを示す。これらの達成はIn_0.17Ga_0.83N/SCAM格子整合テンプレートはより大きいIn成分を有するInGaNを用いた長波長の発光および光検出デバイスに向けての道筋をつけるものである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOCVD ,  *ルミネセンス ,  *窒化ガリウム ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *バッファ層 ,  結晶整合性 ,  *窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (21件)：

• S. Nakamura, S. Pearton, and G. Fasol, Blue Laser Diode (Springer, Heidelberg, 2000) 2nd ed.
• Y. Enya, Y. Yoshizumi, T. Kyono, K. Akita, M. Ueno, M. Adachi, T. Sumitomo, S. Tokuyama, T. Ikegami, K. Katayama, and T. Nakamura, Appl. Phys. Express 2, 082101 (2009).
• T. Miyoshi, S. Masui, T. Okada, T. Yanamoto, T. Kozaki, S. Nagahama, and T. Mukai, Appl. Phys. Express 2, 062201 (2009).
• O. Jani, I. Ferguson, C. Honsberg, and S. Kurtz, Appl. Phys. Lett. 91, 132117 (2007).
• A. Kobayashi, J. Ohta, and H. Fujioka, J. Appl. Phys. 99, 123513 (2006).

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  格子整合 ,  InGaN ,  有機金属気相エピタキシ