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J-GLOBAL ID：201402222691513640   整理番号：14A1038897

磁性体ナノ構造における界面垂直磁気異方性

Interface perpendicular magnetic anisotropy in magnetic nanostructures

著者 (6件)： 三谷誠司 (物質・材料研究機構) ,  三谷誠司 (筑波大) ,  KOO Jungwoo (物質・材料研究機構) ,  KOO Jungwoo (筑波大) ,  WEN Zhenchao (物質・材料研究機構) ,  介川裕章 (物質・材料研究機構)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 140(MR2014 8-13)  ページ： 33-35  発行年： 2014年07月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 強磁性金属と酸化物からなる界面における垂直磁気異方性が注目を集めている。スピン注入型磁気ランダムアクセスメモリへの応用の可能性や,磁気異方性発現機構に関する基礎的興味によるところが大きい。著者らの結果を中心に,最近の研究成果をレビューする。課題をまとめ,今後の展望についても言及する。(著者抄録)

シソーラス用語： 磁性体 ,  ナノ構造 ,  *垂直磁気異方性 ,  界面 ,  *MRAM ,  注入 ,  スピン分極 ,  *磁性薄膜 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： スピン注入 ,  磁気ランダムアクセスメモリ

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (23件)：

• F.J.A. den Broeder, W. Hoving and P.J.H. Bloemen, J. Magn. Magn. Mater. 93, 562 (1991).
• A. Manchon, C. Ducruet, L. Lombard, S. Auffret, B. Rodmacq, B. Dieny, S. Pizzini, J. Vogel, V. Uhlíř, M. Hochstrasser, and G. Panaccione, J. Appl. Phys. 104, 043914 (2008).
• S. Ikeda, K. Miura, H. Yamamoto, K. Mizunuma, H. D. Gan, M. Endo, S. Kanai, J. Hayakawa, F. Matsukura, and H. Ohno, Nature Mater. 9, 721 (2010).
• I.M. Miron, K. Garello, G. Gaudin, P.-J. Zermatten, M.V. Costache, S. Auffret, S. Bandiera, B. Rodmacq, A. Schuhl and P. Gambardella, Nature 476, 189 (2011).
• L. Liu, C.-F. Pai, Y. Li, H.W. Tseng, D.C. Ralph and R.A. Buhrman, Science 336, 555 (2012).

タイトルに関連する用語 (4件)： 磁性体 ,  ナノ構造 ,  界面 ,  垂直磁気異方性