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J-GLOBAL ID：201402234402941955   整理番号：14A0305063

マスク吸収体高さ最適化によるEUVイメージング増強への実験アプローチ

Experimental Approach to EUV Imaging Enhancement by Mask Absorber Height Optimization

著者 (9件)： DAVYDOVA Natalia (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  DE KRUIF Robert (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  ROLFF Haiko (AMTC GmbH & Co. KG, Dresden, DEU) ,  CONNOLLY Brid (Toppan Photomasks Inc., Dresden, DEU) ,  VAN SETTEN Eelco (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  LAMMERS Ad (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  OORSCHOT Dorothe (ASML Netherlands B.V., Veldhoven, NLD) ,  FUKUGAMI Norihito (Toppan Printing Co., Ltd., Saitama, JPN) ,  KODERA Yutaka (Toppan Printing Co., Ltd., Saitama, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8886  ページ： 88860A.1-88860A.15  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極端紫外線(EUV)リソグラフィーの性能向上の一環として,本研究では,マスク吸収体高さ最適化によるEUVイメージング増強への実験アプローチを行った。その際,Toppan社(日本)製のフォトマスクにより,40~70nmの範囲の,27個の異なる高さの特殊なマスクを製造し,EUV反射スペクトルを測定し,スイング曲線を構築した。マスク吸収体最適化に基づいて,画像コントラスト,クリティカルディメンジョン均一性(CDU),焦点,肉盛などの主要な性能指数を論じた。その結果に基づいて,1)吸収体の高さは,線密度が大きい場合については,52および59nmが最良の候補であること,2)これらの高さに対して,露出許容度(EL)の最大化と線幅粗さ(LWR)の最小化とを実現したこと,を記した。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  *フォトマスク ,  最適化 ,  画像処理 ,  反射スペクトル ,  極端紫外線 ,  コントラスト ,  均一性 ,  長さ ,  焦点 ,  肉盛 ,  許容量 ,  表面粗さ ,  パターン形成 ,  吸収体
準シソーラス用語： クリティカルディメンジョン均一性 ,  *極端紫外線リソグラフィー ,  線幅粗さ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： マスク ,  吸収体 ,  高さ ,  最適化 ,  EUV ,  イメージング ,  増強 ,  実験