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J-GLOBAL ID：201402241837623153   整理番号：14A0238988

GaN半導体型フォトカソードの量子効率の劣化現象と波長依存性

著者 (3件)： 早瀬和哉 (東京理大 理) ,  西谷智博 (理研) ,  目黒多加志 (東京理大 理)
資料名： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
巻： 132  号： 8  ページ： 1261-1264  発行年： 2012年08月01日 
JST資料番号： S0810A  ISSN： 0385-4221  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaN半導体型フォトカソードの量子効率の時間依存性と波長依存性について測定した。GaN半導体型フォトカソードの量子効率の波長依存性に関する報告はあるが,寿命測定の研究は少ない。負の電子親和力(NEA)を利用している半導体型フォトカソードにおいて,量子効率は,NEA表面の劣化により,真空準位が上昇することで低下する。本研究では,GaN半導体型フォトカソードにCsとO₂を吸着させ,He-Cdレーザ(波長325nm)を照射した時の量子効率とその時間依存性を測定した。さらに波長の異なる照射光による量子効率の波長依存性について検討した。一連の検討から得られた様々な知見を提示した。

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  *光電陰極 ,  *量子効率 ,  波長依存性 ,  電子親和力
準シソーラス用語： GaN ,  *フォトカソード

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

引用文献 (6件)：

• 平山秀樹. 230-270nm深紫外AlGaN系LEDの進展. 電学論C. 2008, 128, 5, 748-756
• UCHIYAMA, S. GaN-based photocathodes with extremely high quantum efficiency. Applied Physics Letters. 2005, 86
• NISHITANI, T. High-Brightness Spin-Polarized Electron Source Using Semiconductor Photocathodes. Japanese Journal of Applied Physics. 2009, 48
• EYCKELER, M. Negative electron affinity of cesiated p-GaN(0001) surfaces. Microelectron. Process. Phenom. 1998, 16
• MASUMOTO, Y. ANALYSIS QUANTUM EFFICIENCY SPECTRUM OF NEA-GaAs PHOTOCATHODE. Proceedings of IPAC 2011, San Sebastian, Spain. 2011, 3161-3163

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  フォトカソード ,  量子効率 ,  現象 ,  波長依存性