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J-GLOBAL ID：201402247060723092   整理番号：14A0660652

Si(111)-β√3×√3-Biの空間電荷層で生成する2D[サブバンド状態のSTS(走査トンネル顕微/分光法)研究

STS Study of 2D Subband State Formed in the Space Charge Layer of Si(111)-β√3 × √3-Bi

著者 (4件)： NAGAOKA Katsumi (International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), National Inst. for Materials Sci. (NIMS)) ,  YAGINUMA Shin (International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), National Inst. for Materials Sci. (NIMS)) ,  NAKAYAMA Tomonobu (International Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), National Inst. for Materials Sci. (NIMS)) ,  NAKAYAMA Tomonobu (Graduate School of Pure and Applied Sciences, Univ. of Tsukuba)
資料名： e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)  (e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 12  ページ： 217-220 (J-STAGE)  発行年： 2014年 
JST資料番号： U0016A  ISSN： 1348-0391  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)-β√3×√3-Bi(Si(111)はP型半導体シリコンウエハ基板)の空間電荷層での2Dサブバンド生成を,より良く理解するため,77Kで表面に関する走査型トンネル顕微/分光法(STM/STS)の研究を行った。この表面を,バンドギャップがSiより大きな絶縁体として同定した。表面バンドギャップ内のdI/dV(微分トンネルコンダクタンス)測定結果では,バンド曲りが界面で-0.15eVに達したが,この系の量子井戸深さと一致した。バルク/界面CBM(伝導バンド最小値)に加え,これらの間で追加的状態が認められた。この状態は,エネルギー位置が半古典的計算で得られるものと良く一致するので,2Dサブバンド状態の底部に起因する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *走査型トンネル顕微鏡 ,  *スペクトロスコピー ,  *空乏層 ,  *ウエハ【IC】 ,  *金属結晶 ,  *ビスマス ,  *バンド構造 ,  バンドギャップ ,  絶縁材料 ,  コンダクタンス ,  量子井戸 ,  伝導バンド ,  半古典的方法 ,  絶縁体 ,  *サブバンド ,  バンド曲がり ,  *走査トンネル電子分光法 ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： *走査型トンネル分光法 ,  *空間電荷層 ,  *シリコン基板 ,  トンネルコンダクタンス

分類 (4件)： 金属の結晶構造  (BK06000V) ,  原子の電子構造  (BH02010V) ,  電子構造一般  (BM02010K) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

引用文献 (19件)：

• [1] A. Toriumi, M. Iwase, and M. Yoshimi, IEEE Trans. Electron Devices 35, 999 (1988).
• [2] K. Natori, J. Appl. Phys. 76, 4879 (1994).
• [3] F. Assad, et al., IEEE Trans. Electron Devices 47, 232 (2000).
• [4] T. Ando, A. B. Fowler, and F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54, 437 (1982).
• [5] Y. H. Hou and M. F. Li, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L144 (2001).

タイトルに関連する用語 (10件)： Si ,  Bi ,  空間電荷層 ,  2D ,  サブバンド ,  STS ,  走査 ,  トンネル ,  分光法 ,  研究