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J-GLOBAL ID：201402250423433726   整理番号：14A0762777

半絶縁性半導体基板の大表面積上の多孔質アルミナマスクの製造

Fabrication of a porous alumina mask on the large surface area of a semi-insulating semiconductor substrate

著者 (6件)： TAKIZAWA Chieko (Nano Characterization Unit, National Inst. for Materials Sci.) ,  KATO Seiichi (Quantum Beam Unit, National Inst. for Materials Sci.) ,  GOTO Atsushi (Nano Characterization Unit, National Inst. for Materials Sci.) ,  KITAZAWA Hideaki (Quantum Beam Unit, National Inst. for Materials Sci.) ,  IKEDA Naoki (Nanotechnology Innovation Station, National Inst. for Materials Sci.) ,  SUGIMOTO Yoshimasa (Nanotechnology Innovation Station, National Inst. for Materials Sci.)
資料名： Journal of the Ceramic Society of Japan (Web)  (Journal of the Ceramic Society of Japan (Web))
巻： 121  号： 1414  ページ： 516-519 (J-STAGE)  発行年： 2013年 
JST資料番号： U0409A  ISSN： 1348-6535  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半絶縁性半導体基板の大表面積(1平方センチメータの規模)のドライエッチングのためのマスクとしての大規模均一多孔質アルミナ膜を製造するための方法を記す。基板上に堆積させたアルミニウム層の直接アノード酸化を採用しており,これは単純で,従って高いスループット生産に適している。しかしながら,非導電性半導体基板のプロセスは,アノード酸化プロセスにおけるアルミニウム層中の不均一電流による細孔の品質制御の課題を受ける。このため,アルミニウム層に均一な電流を提供するアノードへの新しいフィッティングを実行し,これは大規模アルミナ膜上の高度に均一なナノポアの製造を可能にする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化アルミニウム ,  *マスク ,  基板 ,  ドライエッチング ,  *アノード酸化 ,  多孔質体 ,  セラミック膜

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (8件)：

• 1) C. Rossi, K. Zhang, D. Estève, P. Alphonse, P. Tailhades and C. Vahlas, J. Microelectromech. Syst., 16, 919–931 (2007).
• 2) P. Menna, G. Di Francia and V. La Ferrara, Sol. Energy Mater. Sol. Cells., 37, 13–24 (1995).
• 3) V. Kochergin and H. Foll, “Porous Semiconductors: Optical Properties and Applications”, Engineering Materials and Processes Series, Springer-Verlag, London (2009).
• 4) H. Masuda and M. Satoh, Jpn. J. Appl. Phys., 35, L126–L129 (1996).
• 5) H. Masuda and K. Fukuda, Science, 268, 1466–1468 (1995).

タイトルに関連する用語 (5件)： 半絶縁性 ,  半導体基板 ,  表面積 ,  多孔質アルミナ ,  マスク