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J-GLOBAL ID:201402255526182898   整理番号:14A0804279

CMOS互換プロセスによるSOI横型PIN光検出器の高速応答特性

High-speed Response of SOI Lateral PIN-type Photodiode Fabricated by CMOS Compatible Process
著者 (4件):
資料名:
巻: 114  号: 46(LQE2014 1-16)  ページ: 1-4  発行年: 2014年05月15日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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SOI基板上にCMOS互換プロセスを用いて,薄膜Siの横型PIN光検出器を作製し,波長0.8μm帯での特性評価を行った。作製した光検出器は,受光面積23μm×23μm,電極間隔3μm,電極幅1μmである。i層幅1μmのPIN型光検出器において,10V印加時の暗電流は0.1nAであった。波長850nmにおいて,10V印加時,感度6.2mA/W,帯域6.5GHzを得た。また,30V印加時,最大帯域8GHzを得た。(著者抄録)
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分類 (1件):
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半導体集積回路 
引用文献 (7件):

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