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J-GLOBAL ID：201402268723974377   整理番号：14A0879722

劈開端面を有するサブ200nmAlN-GaN-AlN導波路の作製

Fabrication of sub-200 nm AlN-GaN-AlN waveguide with cleaved end facet

著者 (7件)： CHEN Yijing (Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608) ,  KRISHNAMURTHY Vivek (Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608) ,  LAI Yicheng (Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608) ,  LUO Yi (Tsinghua National Lab. for Information Sci. and Technol., Dep. of Electronic Engineering, Tsinghua Univ., Beijing ...) ,  HAO Zhibiao (Tsinghua National Lab. for Information Sci. and Technol., Dep. of Electronic Engineering, Tsinghua Univ., Beijing ...) ,  WANG Lai (Tsinghua National Lab. for Information Sci. and Technol., Dep. of Electronic Engineering, Tsinghua Univ., Beijing ...) ,  HO Seng-tiong (EECS Dep., Northwestern Univ., 2145 Sheridan Road, Evanston, Illinois 60208)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 32  号： 4  ページ： 041207-041207-5  発行年： 2014年07月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高さ対幅比が~6:1のサブ200nmAlN-GaN-AlN(AGA)リッジ導波路の,Cl₂/Arガス混合物を用いた誘導結合プラズマ(ICP)エッチングを介した作製の最初の実現を報告した。反応性イオンエッチング(RIE)パワーとICOパワーはそれぞれ100~450Wと200~600Wの範囲で変えた。それぞれ100Wと400Wの最適RIEパワーとICPパワーがエッチされたトレンチにおいて形成されるナノロッドの密度を低減した。Cl₂/Arガス流速を40/10sccmまで最適化することでエッチされた導波路の傾斜が改善された,加えて,AGA導波路の劈開端面を実現するための簡単で新しいダイスアンドクリーブ技術を開発した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リッジ導波管 ,  *光導波路 ,  結晶面 ,  劈開【結晶】 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  塩素 ,  アルゴン ,  *誘導結合プラズマ ,  *RIE【エッチング】 ,  最適化 ,  混合気体 ,  流速 ,  ナノメータ加工

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (6件)： 劈開 ,  サブ ,  GaN ,  AlN ,  導波路 ,  作製