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J-GLOBAL ID：201402270130696421   整理番号：14A1232077

スーパーミクロポーラスシリカの細孔径制御とその細孔を利用した酸化タングステンサブナノ量子ドットの開発

著者 (3件)： 渡辺洋人 (東京都産業技術研究セ) ,  緒明佑哉 (慶応大 理工) ,  今井宏明 (慶応大 理工)
資料名： 東京都立産業技術研究センター研究報告  (Bulletin of Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute)
号： 9  ページ： 88-89  発行年： 2014年09月25日 
JST資料番号： S0759C  ISSN： 1881-8676  CODEN： KHCDBB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 近年,量子ドットは蛍光体,光触媒などへの用途において高い機能を発現することから注目されている。これまでCdS,CdTeなどの量子ドットは容易に合成可能な10nm程度のサイズから顕著な量子サイズ効果が発現するため多くの研究例があったが,TiO₂,WO₃などの遷移金属酸化物は1nm前後のサイズにならなければ量子サイズ効果が発現しない。現在,このサイズの量子ドット粒子の効果的な合成法は確立されていない。本研究では,多孔質シリカの細孔を鋳型とした粒子合成法によるWO₃量子ドット作製ついて述べている。合成はシリカ源のテトラエトキシシランの加水分解に必要な最低限の水を添加した。これにより炭素鎖C6,C4の界面活性剤を用いたスーパーメソポーラスシリカ(SMPS)が合成され,それぞれ1.1,0.9nmの平均細孔径を有することが明らかとなった。過酸化タングステン酸の水溶液中にSMPSを浸漬し,洗浄,焼成することでWO₃量子ドットの合成に成功した。WO₃量子ドットのバンドギャップは1nm以下の領域で大幅に増大しバルクの2.6eVから最大で3.7eVに増大した。シングル-サブナノ領域における量子ドットの粒径制御により光触媒能の制御,向上に有効であることが実証された。

シソーラス用語： *量子ドット ,  *酸化タングステン ,  多孔性 ,  細孔径 ,  *鋳型効果 ,  *化学合成 ,  加水分解 ,  タングステン酸 ,  水溶液 ,  浸漬 ,  *バンドギャップ ,  *制御 ,  光触媒 ,  脂肪族アルコール ,  無機酸エステル ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  サブナノ量子ドット ,  スーパーメソ多孔性 ,  過酸化タングステン酸 ,  *粒径制御

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

物質索引 (1件)： テトラエトキシシラン

引用文献 (2件)：

• 渡辺洋人:「VOC吸着能に優れたスーパーミクロポーラスシリカの開発」,加工技術,Vol.46, No.12, pp.765-767(2011)
• H.Watanabe, K. Fujikata, Y. Oaki, H. Imai:"Band-Gap Expansion of Tungsten Oxide Quantum Dots Synthesized in Sub-nano Porous Silica", Chemical Communication,49, No.76, pp.8477-8479(2013)

タイトルに関連する用語 (6件)： 細孔径 ,  細孔 ,  酸化タングステン ,  サブ ,  量子ドット ,  開発