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J-GLOBAL ID：201402275812370708   整理番号：14A1471193

サブミリ波への応用を目指したGaNを基本とする高電子移動度トランジスター

GaN high electron mobility transistors for sub-millimeter wave applications

著者 (3件)： LEE Dong Seup (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  LIU Zhihong (Singapore-MIT Alliance for Res. and Technol., Singapore) ,  PALACIOS Tomas (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 10  ページ： 100212.1-100212.10  発行年： 2014年10月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,GaNを基本とする高電子移動度トランジスター(HEMT)の性能を,サブミリ波周波数域まで拡張するために最近開発した異なる技術を概説する。各技術の効果と必要性を理解するために,小信号等価回路パラメーターに基づく装置の遅延モデルを紹介する。このモデルでは,全遅延を固有,外因性および寄生的な成分に分ける。それから,GaN HEMTの速度を改善する幾つかの技術を,各々の遅延成分の寄与に基づいて議論する。最後に,高ドレイン・バイアス,あるいは高ゲート・バイアス下において,これらのトランジスターを高速作動させるための重要な制限因子を研究し,これらの問題を解決するための新奇な方法を示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *サブミリ波 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *HEMT ,  *等価回路 ,  *モデル ,  パラメータ ,  遅れ ,  *必要条件 ,  バイアス ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 小信号モデル ,  遅延モデル ,  *制限因子

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (73件)：

• U. K. Mishra, L. Shen, T. E. Kazior, and Y.-F. Wu, Proc. IEEE 96, 287 (2008).
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• M. Asif Khan, J. N. Kuznia, A. R. Bhattarai, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 62, 1786 (1993).
• M. Asif Khan, Q. Chen, C. J. Sun, M. Shur, and B. Gelmont, Appl. Phys. Lett. 67, 1429 (1995).
• M. A. Khan, J. N. Kuznia, J. M. Van Hove, N. Pan, and J. Carter, Appl. Phys. Lett. 60, 3027 (1992).

タイトルに関連する用語 (4件)： サブミリ波 ,  応用 ,  GaN ,  高電子移動度トランジスター