EUVパターンニングのための金属酸化物ナノ粒子フォトレジスト

JIANG Jing; CHAKRABARTY Souvik; YU Mufei; OBER Christopher K.

文献

J-GLOBAL ID：201402281171096767 整理番号：14A0904317

EUVパターンニングのための金属酸化物ナノ粒子フォトレジスト

Metal Oxide Nanoparticle Photoresists for EUV Patterning

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著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 27 号： 5 ページ： 663-666 発行年： 2014年
JST資料番号： L0202A ISSN： 0914-9244 CODEN： JSTEEW 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

メタクリレートベースナノ粒子の予備的研究によると,これらのハイブリッド材料は13.5nm以下のEUV露光においてフォトレジストとして用いた時に優れたパターン形成能を示す。HfO₂及びZrO₂メタクリラートレジストは非常に高いEUV感度(4.2mJ/cm²)において高い分解能(~22nm)を達成する。パターンニングプロセスを更に検討すると,金属酸化物と正しい配位子との何らかの組合せが適切な光活性化合物の存在を伴ったパタン形成を実現する配位子置換メカニズムを示した。この検討はトランスジメチルアクリル酸とo-トルイル酸の配位子を有する新しいナノ粒子組成を開発することによって本研究をさらに発展させる。本研究は新しいレジスト組成に関して,248nm KrFレーザー(DUV)及び13.5nm EUVの露光(ジメチルアクリル酸ナノ粒子)の下におけるそれらの合成とパターンニング能について述べたものである。(翻訳著者抄録)

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固体デバイス材料

引用文献 (4件)：

M. Trikeriotis, W. J. Bae, E. Schwartz, M. Krysak, N. Lafferty, P. Xie, B. Smith, P. Zimmerman, C. K. Ober and E. P. Giannelis, Proceedings SPIE, Pt. 1, Advances in Resist Materials and Processing Technology XXVII, 7639, (2010) 76390E..
M. Trikeriotis, M. Krysak, Y. S. Chung, C. Ouyang, B. Cardineau, R. Brainard, C. K. Ober, E. P. Giannelis and K. Y. Cho, Proc. SPIE, 8322, (2012) 83220U.
M. Krysak, M. Trikeriotis, E. Schwartz, N. Lafferty, P. Xie, B. Smith, P. Zimmerman, W. Montgomery, E. Giannelis and C. K. Ober, Proceedings SPIE 7972, Pt. 1, Advances in Resist Materials and Processing Technology XXVIII, 7972 (2011) 79721C.
S. Chakrabarty, C. Ouyang, M. Krysak, M. Trikeriotis, K. Y. Cho, E. Giannelis and C. K. Ober, Proc. SPIE, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography IV, 8679 (2013) 867906.

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