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J-GLOBAL ID：201402287409108171   整理番号：14A1321400

反応現像型感光性ポリマーによるポジ型およびネガ型微細パターン形成

著者 (1件)： 大山俊幸 (横浜国大 大学院工学研究院)
資料名： 科学と工業  (Science and Industry)
巻： 88  号： 11  ページ： 405-414  発行年： 2014年11月20日 
JST資料番号： F0106A  ISSN： 0368-5918  CODEN： KKGOAG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 筆者らが開発した「反応現像画像形成(RDP)」は,ポリマー中のカルボン酸類縁基と現像液中の求核剤との求核アシル置換反応を露光部または未露光部で選択的に引き起こし微細パターンを形成する手法である。ポリイミド,ポリカーボネートなどのエンプラは元々主鎖中にカルボン酸類縁基を有しているため,RDPを用いることにより市販エンプラを含む広範なポリマーに簡便に感光性を付与することができる。また,RDPの利用によりポジ型・ネガ型の両方のパターンを形成することが可能である。本稿では,ポジ型およびネガ型RDPによる,ポリイミドをはじめとする種々のポリマーへの感光性付与について概説する。(著者抄録)

シソーラス用語： *反応性 ,  *感光性高分子 ,  *パターン形成 ,  *フォトレジスト ,  ポリイミド ,  ポリカーボネート ,  末端基 ,  官能化 ,  ポリアリレート ,  *エンジニアリングプラスチック ,  カルボン酸 ,  求核試薬 ,  アシル基 ,  求核置換反応 ,  *ミクロパターン形成
準シソーラス用語： *ポジ型フォトレジスト ,  *ネガ型レジスト

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (36件)：

• "Polymers for Microelectronics and Nanoelectronics", ACS Symposium Series 874, Q. Lin, R. A. Pearson, J. C. Hedrick (Eds.), (2004, American Chemical Society, Washington DC).
• "Micro- and Nanopatterning Polymers", ACS Symposium Series 706, H. Ito, E. Reichmanis, O. Nalamasu, T. Ueno (Eds.), (1998, American Chemical Society, Washington DC).
• 池田章彦, 水野晶好 著, "初歩から学ぶ感光性樹脂", (2002, 工業調査会).
• 福川健一, 上田 充, 高分子論文集, 63, 561 (2006).
• K. Fukukawa, M. Ueda, Polym. J., 40, 281 (2008).

タイトルに関連する用語 (4件)： 現像 ,  感光性ポリマー ,  ネガ ,  微細パターン形成