特許
J-GLOBAL ID：201403000576863484
多数個取り配線基板、配線基板および多数個取り配線基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-168577
公開番号（公開出願番号）：特開2014-027219
出願日： 2012年07月30日
公開日（公表日）： 2014年02月06日
要約：
【課題】レーザー加工時における枠部の上面への溶融物のはい上がりが抑制された多数個取り配線基板を提供する。【解決手段】ガラス成分を含むセラミック絶縁層103が積層されてなる母基板101に、複数の配線基板領域102が縦横に配列されており、母基板101の上面に配線基板領域102の境界に沿って分割溝105が形成されている多数個取り配線基板であって、母基板101の上面に金属層106が形成されており、分割溝105は、金属層106の上面から金属層106の厚み方向の途中まで設けられた第1分割溝107と、第1分割溝107の底部よりも幅が狭く、この底部から金属層106を厚み方向に貫通して母基板101の上面に設けられた第2分割溝108とからなる多数個取り配線基板である。浅い第1分割溝107の底部に、深い第2分割溝が設けられているため、枠部の上面への溶融物のはい上がりが抑制できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ガラス成分を含む複数のセラミック絶縁層が積層されてなる母基板に、複数の配線基板領域が縦横に配列されており、前記母基板の上面に前記配線基板領域の境界に沿って分割溝が形成されている多数個取り配線基板であって、
前記母基板の上面に金属層が形成されており、
前記分割溝は、前記金属層の上面から該金属層の厚み方向の途中まで設けられた第1分割溝と、
該第1分割溝の底部よりも幅が狭く、該底部から前記金属層を厚み方向に貫通して前記母基板の前記上面に設けられた第2分割溝とからなることを特徴とする多数個取り配線基板。
IPC (3件)：
H05K 1/02
, H05K 3/00
, H05K 3/28
H05K1/02 G
, H05K3/00 X
, H05K3/00 N
, H05K3/28 A
5E314AA06
, 5E314BB06
, 5E314BB11
, 5E314CC20
, 5E314FF02
, 5E314GG01
, 5E338AA18
, 5E338BB47
, 5E338EE33
