特許
J-GLOBAL ID:201403001676428927
光導波回路装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
光石 俊郎
, 田中 康幸
, 松元 洋
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-067872
公開番号(公開出願番号):特開2014-191245
出願日: 2013年03月28日
公開日(公表日): 2014年10月06日
要約:
【課題】精度を上げることなく低コストで作製することができ、基板表面に垂直な方向の光を所望の位置からより狭いアレイ間隔で入出力することができる光導波回路装置を提供する。【解決手段】平坦な表面に平行に、所定の深さ位置に形成された光導波路12を備えるPLC基板11と、所定の面方位を持つシリコン基板21とを有し、光導波路12を横断する所定深さより深い溝15をPLC基板11の所望の位置に設け、異方性エッチングにより表出されて所定の面方位に対し45度の傾きを持つ斜面と斜面の表面に形成された金属反射膜とからなり、頂点が所定深さより高く溝15の深さより低い45度ミラー22を、溝15の位置に対応してシリコン基板21に設け、溝15の内側に45度ミラー22を挿入して、PLC基板11とシリコン基板21とを接合した。【選択図】図1
請求項(抜粋):
平坦な表面に平行に、所定の深さ位置に形成された少なくとも1つの光導波路を備える光回路基板と、
所定の面方位を持つシリコン基板とを有し、
前記光導波路を横断する前記所定の深さより深い溝を、前記光回路基板の所望の位置に設け、
異方性エッチングにより表出されて前記所定の面方位に対し45度の傾きを持つ斜面と前記斜面の表面に形成された金属反射膜とからなり、頂点が前記所定の深さより高く前記溝の深さより低い45度ミラーを、前記溝の位置に対応して前記シリコン基板に設け、
前記溝の内側に前記45度ミラーを挿入して、前記光回路基板と前記シリコン基板とを接合したことを特徴とする光導波回路装置。
IPC (3件):
G02B 6/122
, G02B 6/42
, H01L 31/023
FI (3件):
G02B6/12 B
, G02B6/42
, H01L31/02 D
Fターム (51件):
2H137AB12
, 2H137AC04
, 2H137BA52
, 2H137BA53
, 2H137BB03
, 2H137BB13
, 2H137BB17
, 2H137BB25
, 2H137BC51
, 2H137CA28B
, 2H137CA34
, 2H137CA42
, 2H137CA57
, 2H137CA73
, 2H137CA74
, 2H137CB03
, 2H137CB25
, 2H137CB32
, 2H137EA04
, 2H137EA05
, 2H137EA07
, 2H137EA13
, 2H137HA11
, 2H147AB04
, 2H147AB05
, 2H147BG02
, 2H147BG06
, 2H147BG19
, 2H147CA13
, 2H147CB06
, 2H147CC02
, 2H147CC08
, 2H147CC14
, 2H147CD02
, 2H147CD10
, 2H147EA10D
, 2H147EA13C
, 2H147EA13D
, 2H147EA14A
, 2H147EA14B
, 2H147EA35A
, 2H147FA03
, 2H147FA08
, 2H147FA25
, 2H147FC02
, 2H147FC03
, 2H147FC06
, 2H147FD12
, 2H147FD20
, 2H147GA10
, 5F088JA14
引用特許:
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