特許
J-GLOBAL ID:201403002205749550

原子セルモジュール、量子干渉装置、電子機器及び原子セルの磁界制御方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 布施 行夫 ,  大渕 美千栄 ,  永田 美佐
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-198264
公開番号(公開出願番号):特開2014-053841
出願日: 2012年09月10日
公開日(公表日): 2014年03月20日
要約:
【課題】ヒーター電流により発生する原子セルの内部に発生する磁界をある程度打ち消すことで、強度の高いEIT信号を安定して発生させることができる原子セルモジュール及び原子セルの磁界制御方法、並びに、当該原子セルモジュールを用いた周波数安定度の高い量子干渉装置及び電子機器を提供すること。【解決手段】原子セルモジュール10は、原子が封入されている原子セル11と、電流が流れることにより発熱し、原子セル11を加熱する発熱部12と、原子セル11の内部に磁界を発生させる磁界発生部13と、を含む。磁界発生部13により発生する原子セル11の内部の所定位置の磁界が、発熱部12に流れる電流に基づいて発生する当該所定位置の磁界と逆向きの磁界成分を含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
原子が封入されている原子セルと、 電流が流れることにより発熱し、前記原子セルを加熱する発熱部と、 前記原子セルの内部に磁界を発生させる磁界発生部と、を含み、 前記磁界発生部により発生する前記原子セルの内部の所定位置の磁界が、前記発熱部に流れる電流に基づいて発生する前記所定位置の磁界と逆向きの磁界成分を含む、原子セルモジュール。
IPC (2件):
H03L 7/26 ,  H01S 1/06
FI (2件):
H03L7/26 ,  H01S1/06
Fターム (6件):
5J106CC07 ,  5J106HH01 ,  5J106HH07 ,  5J106KK13 ,  5J106KK15 ,  5J106KK38
引用特許:
出願人引用 (8件)
全件表示

前のページに戻る