動作モードに応じてプログラム電圧の増加分を可変することができる不揮発性メモリ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-113917
公開番号（公開出願番号）：特開2005-346898
出願日： 2005年04月11日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【課題】動作モードに応じてプラグラム電圧の増加分を可変することができる不揮発性メモリ装置を提供する。【解決手段】不揮発性メモリ装置はステップ制御信号に応答して選択された行に供給されるワードライン電圧を発生するワードライン電圧発生回路と、プログラムサイクルの間ステップ制御信号を順次に活性化させるプログラム制御器とを含む。プログラムサイクルの間、ワードライン電圧発生回路は動作モードに応じてワードライン電圧の増加分を異なるように制御する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

行と列に配列されたメモリセルのアレイを含む不揮発性メモリ装置において、ステップ制御信号に応答してワードライン電圧を発生するワードライン電圧発生回路と、プログラムサイクルの間前記ステップ制御信号を順次に活性化させるプログラム制御器とを含み、前記プログラムサイクルの間、前記ワードライン電圧発生回路は動作モードに応じて前記ワードライン電圧の増加分を異なるように制御することを特徴とする不揮発性メモリ装置。

IPC (3件)：

G11C29/00 , G11C16/02 , G11C16/06

FI (4件)：

G11C29/00 673V , G11C17/00 601Z , G11C17/00 632A , G11C17/00 641

Fターム (16件)：

5B125BA01 , 5B125BA19 , 5B125CA01 , 5B125DB12 , 5B125DB14 , 5B125DE07 , 5B125EC05 , 5B125EG02 , 5B125EG05 , 5B125EG14 , 5B125EG18 , 5B125EH02 , 5L106AA10 , 5L106DD11 , 5L106DD31 , 5L106GG01

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第5,642,309号明細書
韓国公開公報第2002-39744号

審査官引用 (4件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-239238 出願人：株式会社東芝
半導体集積回路及びデータ処理システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-258215 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-345455 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

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