特許
J-GLOBAL ID：201403004245845554

プラズマを生成する方法又はプラズマチャンバの操作方法

発明者：
ディンドサ・ラジンダー

ディンドサ・ラジンダー について


出願人/特許権者：
ラム リサーチ コーポレーション

ラム リサーチ コーポレーション について


代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-285812
公開番号（公開出願番号）：特開2013-080956
特許番号：特許第5518174号
出願日： 2012年12月27日
公開日（公表日）： 2013年05月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】プラズマ処理チャンバ内でプラズマを生成する方法であって、 前記プラズマ処理チャンバが洗浄動作を実行するよう設定することを備え、前記プラズマ処理チャンバは、誘電リングによって電気的に絶縁されている内側下部電極と外側下部電極とを備える下部電極アセンブリと、前記内側下部電極の上方に配置される上部電極とを有し、 前記設定は、 前記内側下部電極が、高周波(RF)電源に接続されるのではなく、浮遊電位になるように設定し、 前記内側下部電極を前記浮遊電位に維持しつつ、前記上部電極を接地し、 前記プラズマ処理チャンバ内にプロセスガスを供給し、 前記外側下部電極にRF電力を供給すること、を含み、前記内側下部電極を前記浮遊電位に維持しつつ前記外側下部電極にRF電力を供給することは、実質的に前記内側下部電極の外側であって前記外側下部電極の上方に生成されるプラズマを生成する、方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 21/302 101 B ,  H01L 21/302 101 C ,  H05H 1/46 M ,  H05H 1/46 L
引用特許：
出願人引用 (10件)
  • 多電極プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-152457   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
  • プラズマCVD装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-045283   出願人：シャープ株式会社, シャープマニファクチャリングシステム株式会社
  • 特開昭61-267326
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