特許
J-GLOBAL ID：201403005499259562
窒化物半導体レーザ、及びエピタキシャル基板
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (5件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
, 城戸 博兒
, 池田 正人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-000760
公開番号（公開出願番号）：特開2013-140896
特許番号：特許第5351290号
出願日： 2012年01月05日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒化物半導体レーザであって、
窒化ガリウム系半導体からなる主面を有する導電性の支持基体と、
前記主面の上に設けられた活性層と、
前記主面の上に設けられたp型窒化物半導体領域と、
を備え、
前記主面は、前記窒化ガリウム系半導体のc軸方向に延在する基準軸に直交する基準面に対して傾斜し、
前記活性層は前記支持基体と前記p型窒化物半導体領域との間に設けられ、
前記p型窒化物半導体領域はp型クラッド領域を含み、
前記p型クラッド領域の厚さは300nm以上であり、1000nm以下であり、
前記p型クラッド領域は、第1p型III族窒化物半導体層及び第2p型III族窒化物半導体層から構成され、
前記第1p型III族窒化物半導体層及び第2p型III族窒化物半導体層は、それぞれ、厚さd1及びd2を有し、前記第2p型III族窒化物半導体層は、0.2≦d2/(d1+d2)≦0.6を満たす厚さを有し、
前記第1p型III族窒化物半導体層は前記第2p型III族窒化物半導体層に接合を成し、
前記第1p型III族窒化物半導体層は前記第2p型III族窒化物半導体層と前記活性層との間に設けられ、
前記第1p型III族窒化物半導体層はAlGaN層からなり、前記AlGaN層は0.1以下のAl組成を有し、
前記第2p型III族窒化物半導体層は前記第1p型III族窒化物半導体層の前記AlGaN層と異なる材料からなり、
前記AlGaN層は、非等方的な歪みを内包し、
前記第1p型III族窒化物半導体層の前記AlGaN層のバンドギャップは、前記p型クラッド領域において最も大きく、
前記第2p型III族窒化物半導体層の比抵抗は、前記第1p型III族窒化物半導体層の比抵抗より低い、窒化物半導体レーザ。
IPC (4件)：
H01S 5/20 ( 200 6.01)
, H01S 5/34 ( 200 6.01)
, H01S 5/343 ( 200 6.01)
, H01S 5/22 ( 200 6.01)
H01S 5/20 610
, H01S 5/34
, H01S 5/343 610
, H01S 5/22
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (7件)
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