特許
J-GLOBAL ID：201003074202994725
窒化物半導体レーザ素子とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-301104
公開番号（公開出願番号）：特開2010-129676
出願日： 2008年11月26日
公開日（公表日）： 2010年06月10日
要約：
【課題】430nm以上の発光波長を有する窒化物半導体レーザ素子において、動作電圧の低減、外部量子効率の増大、発振閾値電流密度の低減などの特性改善を図る。【解決手段】窒化物半導体レーザ素子において、窒化物半導体基板上に、n型AlGaNクラッド層、GaN層、第1のInGaN光ガイド層、発光層、第2のInGaN光ガイド層、窒化物半導体中間層、p型AlGaN層、およびp型AlGaNクラッド層がこの順に設けられ、n型AlGaNクラッド層は3%以上5%以下のAl組成比と1.8μm以上2.5μm以下の厚さを有し、第1と第2のInGaN光ガイド層は3%以上6%以下のIn組成比を有し、第1の光ガイド層の厚さは第2の光ガイド層に比べて大きくかつ120nm以上160nm以下であり、p型AlGaN層はp型AlGaNクラッド層に接しかつそのAl組成比はp型クラッド層に比べて高くて10%以上35%以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板上に、n型AlGaNクラッド層、GaN層、第1のInGaN光ガイド層、発光層、第2のInGaN光ガイド層、窒化物半導体の中間層、p型AlGaN層、およびp型AlGaNクラッド層がこの順に設けられていて430nm以上580nm以下の発振波長を有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記n型AlGaNクラッド層は3%以上5%以下のAl組成比と1.8μm以上2.5μm以下の厚さを有し、
前記第1と第2のInGaN光ガイド層は3%以上6%以下のIn組成比を有し、
前記第1のInGaN光ガイド層の厚さは、前記第2のInGaN光ガイド層に比べて大きくかつ120nm以上160nm以下の範囲内にあり、
前記p型AlGaN層は前記p型AlGaNクラッド層に接しており、前記p型AlGaN層のAl組成比は、前記p型AlGaNクラッド層に比べて高くかつ10%以上35%以下の範囲内にあることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F173AF35
, 5F173AF53
, 5F173AH22
, 5F173AP06
, 5F173AR23
出願人引用 (1件)
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半導体レーザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-042837
出願人：株式会社日立製作所
審査官引用 (13件)
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