特許
J-GLOBAL ID:201403005847053221
光導波路素子
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
田村 爾
, 杉村 純子
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-080444
公開番号(公開出願番号):特開2013-210484
特許番号:特許第5360256号
出願日: 2012年03月30日
公開日(公表日): 2013年10月10日
請求項(抜粋):
【請求項1】 電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光導波路と、該基板の上に形成されたバッファ層と、該バッファ層上に形成され、該光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する光導波路素子において、
該基板と該バッファ層との間に、該基板に発生する電荷を拡散するチャージ拡散層を形成し、
該チャージ拡散層は、該変調電極を構成する接地電極に電気的に接続され、
該チャージ拡散層は、少なくとも該変調電極を構成する信号電極下の光導波路との相互作用領域とその近傍を含む領域、及び該接地電極下の光導波路との相互作用領域とその近傍を含む領域で分離して、かつ該光導波路より低い屈折率を有する低屈折率材料で形成され、
前記信号電極下のチャージ拡散層と前記接地電極下のチャージ拡散層との間は、前記信号電極下のチャージ拡散層及び前記接地電極下のチャージ拡散層より抵抗値の高い部材で電気的に接続されていることを特徴とする光導波路素子。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許:
審査官引用 (7件)
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光変調器
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-047366
出願人:アンリツ株式会社
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バッファ層を有する低バイアス・ドリフト変調器
公報種別:公開公報
出願番号:特願2005-216564
出願人:ジェイディーエスユニフェイズコーポレーション
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光デバイス
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-098661
出願人:沖電気工業株式会社
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