特許
J-GLOBAL ID：201403006279291631

半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム

発明者：
奥野 正久

奥野 正久 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (1件)： 特許業務法人アイ・ピー・ウィン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-062009
公開番号（公開出願番号）：特開2014-187269
出願日： 2013年03月25日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
要約：
【課題】ゲートの動作速度を向上させ、リーク電流を低下させる。【解決手段】高誘電率膜と金属含有膜が形成された基板を処理室10に搬入する工程と、前記処理室10内に搬入された前記基板11上に処理ガスを供給する工程と、前記基板11にマイクロ波を供給する工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供する。ここで、前記高誘電率膜は、前記基板11にシリコン酸化膜を介して形成され、前記金属含有膜は、前記高誘電率膜の上に形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
高誘電率膜と金属含有膜が形成された基板を処理室に搬入する工程と、 前記処理室内に搬入された前記基板上に処理ガスを供給する工程と、 前記基板にマイクロ波を供給する工程と、 を有する半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/31
FI (5件)：
H01L21/316 P ,  H01L21/316 M ,  H01L21/268 Z ,  H01L29/78 301G ,  H01L21/31 E
Fターム (37件)：
5F045AB31 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD10 ,  5F045DC63 ,  5F045DP04 ,  5F045EK02 ,  5F045HA16 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BH02 ,  5F058BH04 ,  5F140AA01 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BE13 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF03 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BF20 ,  5F140BG44
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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