特許
J-GLOBAL ID:201403006642941473

高パワーインコヒーレント光発生装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-011378
公開番号(公開出願番号):特開2014-143320
出願日: 2013年01月24日
公開日(公表日): 2014年08月07日
要約:
【課題】レーザと同程度の高パワーのインコヒーレント光を発生し、またコヒーレント光もインコヒーレント光も発生し得る高パワーインコヒーレント光発生装置を提供する。【解決手段】高パワーインコヒーレント光発生装置は、スペクトル線幅の広いスーパールミネッセントダイオード(SLD)光源から出射されるインコヒーレント光をレーザ素子に注入して同期させることにより、レーザのスペクトル線幅を広げ、コヒーレント光をインコヒーレント光にする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
スーパールミネッセントダイオード(SLD)光源、半導体レーザ光源を有する高パワーインコヒーレント光発生装置であって、 半導体レーザ光源の出力側に、その出力側の内部に偏光ビームスプリッタ(PBS)を有する第1の光アイソレータを配置し、 SLD光源の出力側に第2の光アイソレータ、光ファイバを順に配置して、 前記SLD光源からのインコヒーレント光を前記光ファイバの出力端から、第1の光アイソレータ内部のPBSにs偏光で照射して反射させ、前記半導体レーザ光源に注入して同期させることにより、 該半導体レーザ光源からインコヒーレント光を出射させ、かつ該PBSの透過光としてインコヒーレント光を取り出すことを特徴とする高パワーインコヒーレント光発生装置。
IPC (1件):
H01S 5/50
FI (1件):
H01S5/50 610
Fターム (6件):
5F173MA02 ,  5F173MA03 ,  5F173MC15 ,  5F173MF23 ,  5F173MF29 ,  5F173MF40
引用特許:
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る