特許

J-GLOBAL ID：201403006693998674

半導体記憶装置

発明者： 白川 政信 ,  細野 浩司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-037107
公開番号（公開出願番号）：特開2014-164789
出願日： 2013年02月27日
公開日（公表日）： 2014年09月08日
要約：

【課題】本実施形態は,誤読み出しを低減可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本実施形態の半導体記憶装置は,半導体基板上に積層された複数のメモリセルを含むストリングと,複数の前記ストリングを含むブロックを単位として前記メモリセルのデータを消去し,前記ストリングを単位として,前記メモリセルに消去ベリファイを行う制御部とを備える。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

半導体基板上に積層された複数のメモリセルを含むストリングユニットと, 複数の前記ストリングユニットを含むブロックを単位として前記メモリセルのデータを消去し,前記ストリングユニットを単位として,前記メモリセルに消去ベリファイを行う制御部と を備えることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (7件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/824 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

G11C17/00 612B ,  G11C17/00 622E ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371

Fターム (19件)：

5B125BA08 ,  5B125CA21 ,  5B125DC03 ,  5B125DC08 ,  5B125DC10 ,  5B125EA05 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02 ,  5B125FA07 ,  5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083EP76 ,  5F083ER23 ,  5F083GA10 ,  5F101BA41 ,  5F101BB02 ,  5F101BD16 ,  5F101BD34 ,  5F101BE07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-264935   出願人：株式会社東芝
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-250502   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 不揮発性メモリ装置、不揮発性メモリ装置の消去方法、不揮発性メモリ装置の動作方法、不揮発性メモリ装置を含むメモリシステム、メモリシステムの動作方法、不揮発性メモリ装置を含むメモリカード、及びソリッドステートドライブ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-151230   出願人：三星電子株式会社
• プログラムディスターブを減少させることができるフラッシュメモリ装置及びそのプログラム方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-112741   出願人：三星電子株式会社