特許
J-GLOBAL ID：201403007162116045
光電素子及びその製造方法
▲房▼ ▲ぺい▼珊
▲房▼ ▲ぺい▼珊 について
出願人/特許権者：
晶元光電股▲ふん▼有限公司
晶元光電股▲ふん▼有限公司 について
代理人 (3件)： 伊東 忠重 , 伊東 忠彦 , 大貫 進介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-129457
公開番号（公開出願番号）：特開2013-254841
出願日： 2012年06月07日
公開日（公表日）： 2013年12月19日
要約：
【課題】発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】かかる発光素子の製造方法は、少なくとも、第一表面及び第二表面を有し該第一表面は該第二表面と相対する基板を提供するステップと、複数の発光スタック層を前記基板の第二表面に形成するステップと、前記複数の発光スタック層を覆う支持層を形成するステップと、前記基板の前記第一表面からエネルギーを前記基板内に与え前記基板内に複数の不連続な第一変質領域を形成するステップと、酸化層を前記基板の前記第一表面に形成するステップと、前記複数の不連続な第一変質領域に沿って前記基板を切断するステップと、を含む。【選択図】図3I
請求項（抜粋）：
発光素子の製造方法であって、少なくとも、
第一表面及び第二表面を有し、該第一表面は該第二表面と相対する基板を提供するステップと、
複数の発光スタック層を前記基板の第二表面に形成するステップと、
前記複数の発光スタック層を覆う支持層を形成するステップと、
前記基板の前記第一表面からエネルギーを前記基板内に与え、前記基板内に複数の不連続な第一変質領域を形成するステップと、
酸化層を前記基板の前記第一表面に形成するステップと、
前記複数の不連続な第一変質領域に沿って前記基板を切断するステップと、
を含む、発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
引用特許：
出願人引用 (4件)
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