特許
J-GLOBAL ID：201403008857327140

半導体装置およびその製造方法

発明者：
山本 浩史

山本 浩史 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 山田 義人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-218074
公開番号（公開出願番号）：特開2014-039059
出願日： 2013年10月21日
公開日（公表日）： 2014年02月27日
要約：
【課題】構造を簡素化できる、半導体装置を提供する。【解決手段】第1の層間膜14、第1の層間膜に形成されたコンタクトホール20、第1の層間膜の表面に形成された第2の層間膜16、および第2の層間膜をエッチングすることによって形成されてコンタクトホールに連通する配線溝22を備える、半導体装置であって、第1の層間膜14はエッチングにおける第2の層間膜16のエッチングレートより小さいエッチングレートを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の層間膜、 前記第1の層間膜に形成されたコンタクトホール、 前記第1の層間膜の表面に形成された第2の層間膜、および 前記第2の層間膜をエッチングすることによって形成されて前記コンタクトホ ールに連通する配線溝を備える、半導体装置であって、 前記第1の層間膜は前記エッチングにおける前記第2の層間膜のエッチングレ ートより小さいエッチングレートを有する、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532
FI (2件)：
H01L21/88 B ,  H01L21/90 K
Fターム (18件)：
5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK04 ,  5F033LL04 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033XX33
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特公平5-46983号
審査官引用 (5件)
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