特許
J-GLOBAL ID：201403009056866020
グラフェンの作製方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
, 小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-035493
公開番号（公開出願番号）：特開2014-162683
出願日： 2013年02月26日
公開日（公表日）： 2014年09月08日
要約：
【課題】水素原子でSiC表面を終端した表面上にグラフェンが形成された構造において、本来のグラフェンの優れた特性が得られるようにする。【解決手段】ステップS101で、SiC基板を加熱してSiC基板の表面に6√3×6√3構造の炭素バッファー層を形成する(第1工程)。次に、ステップS102で、SiC基板を加熱した状態で炭素バッファー層が形成されているSiC基板の表面に水素を供給し、炭素バッファー層と基板側のSiとの結合を切断してグラフェンとし、グラフェンとSiC基板との間に存在するSiのダングリングボンドを水素で終端する(第2工程)。以上のようにしてグラフェンを形成した後、ステップS103で、グラフェンを形成したSiC基板を真空中で加熱してグラフェンの基板側に存在する炭化水素を除去する(第3工程)。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
SiC基板を加熱して前記SiC基板の表面に6√3×6√3構造の炭素バッファー層を形成する第1工程と、
前記SiC基板を加熱した状態で前記炭素バッファー層が形成されている前記SiC基板の表面に水素を供給し、前記炭素バッファー層と基板側のSiとの結合を切断してグラフェンとし、前記グラフェンと前記SiC基板との間に存在するSiのダングリングボンドを水素で終端する第2工程と、
前記グラフェンを形成した前記SiC基板を真空中で加熱して前記グラフェンの前記基板側に存在する炭化水素を除去する第3工程と
を備えることを特徴とするグラフェンの作製方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (19件)：
4G146AA01
, 4G146AB07
, 4G146AC16B
, 4G146AD30
, 4G146BA08
, 4G146BC03
, 4G146BC07
, 4G146BC25
, 4G146BC27
, 4G146BC29
, 4G146BC32A
, 4G146BC32B
, 4G146BC33A
, 4G146BC33B
, 4G146BC38A
, 4G146BC38B
, 4G146CA01
, 4G146CA08
, 4G146CA09
