特許
J-GLOBAL ID：201403009075204372

有機薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
中村 健二

中村 健二 について

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加藤 哲弥

加藤 哲弥 について

, 
片山 雅之

片山 雅之 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-009457
公開番号（公開出願番号）：特開2014-143245
出願日： 2013年01月22日
公開日（公表日）： 2014年08月07日
要約：
【課題】平坦面上に有機半導体薄膜を形成しつつ、塗布される領域を規定して所望のパターンに有機半導体薄膜をパターニングすることが可能な構造とする。【解決手段】ソース電極3とドレイン電極4および撥液性絶縁膜5のうち可撓性基材1とは反対側の面が平坦化層2と同一平面となるようにする。そして、これら平坦化層2、ソース電極3、ドレイン電極4および撥液性絶縁膜5によって構成される平坦面の上に有機半導体薄膜6を直描法によって形成する。これにより、結晶性が良く、かつ、結晶膜の連続性がある良好な有機半導体薄膜6とすることが可能となる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
可撓性基材(1)と、 前記可撓性基材の上に形成された絶縁性の平坦化層(2)と、 前記平坦化層における前記可撓性基材と反対の表面側に形成されていると共に、前記平坦化層に入り込んで形成されており、前記平坦化層の表面と同一平面を構成し、互いに所定距離離間して配置されたソース電極(3)およびドレイン電極(4)と、 前記平坦化層の表面側において、少なくとも前記ソース電極と前記ドレイン電極との間を挟んだ両側に配置され、前記ソース電極および前記ドレイン電極と共に前記平坦化層の表面と同一平面を構成する撥液性絶縁膜(5)と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間における前記平坦化層の表面において、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを繋ぐように形成され、前記撥液性絶縁膜に囲まれて前記ソース電極と前記ドレイン電極とに接触させられた有機半導体薄膜(6)と、 前記有機半導体薄膜を覆うゲート絶縁膜(7)と、 前記ゲート絶縁膜の表面において前記有機半導体薄膜と対向配置されたゲート電極(8)と、を備えていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 51/50
FI (7件)：
H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 370 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 627C
Fターム (20件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110DD25 ,  5F110EE03 ,  5F110FF05 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK02 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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