特許
J-GLOBAL ID：201403009759081903
PZT膜の製造方法及び成膜装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
栗原 浩之
, 村中 克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-018820
公開番号（公開出願番号）：特開2014-150191
出願日： 2013年02月01日
公開日（公表日）： 2014年08月21日
要約：
【課題】基板面内での膜厚・組成の均一性、及び再現性が向上した良好な電気特性を有するPb組成のPZT膜の製造方法及びこのPZT膜のような強誘電体膜を製造するための成膜装置を提供すること。【解決手段】Pb(thd)2、Pb(dmhd)2、又はそれらを原料の一部に含んだ状態のPb原料から得られたガスと、Zr(dmhd)4又はZr(iPrO)2(thd)2から得られたガスと、Ti(OiPr)2(thd)2から得られたガスとを、所定の温度に設定したシャワーノズルから基板上に供給し、その際、供給ガス中のPb/(Zr+Ti)比が0.9〜1.55となるように原料ガスの流量を設定して成膜する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上に、MOCVD法によりPZT膜を製造する方法において、Pb原料、Zr原料及びTi原料として、Pb(thd)2、Pb(dmhd)2、又はそれらを原料の一部に含んだ状態のPb原料から得られたガスと、Zr(dmhd)4又はZr(iPrO)2(thd)2から得られたガスと、Ti(OiPr)2(thd)2から得られたガスとを、所定の温度に設定したシャワーノズルから該基板上に供給し、その際、供給ガス中のPb/(Zr+Ti)比が0.9〜1.55となるように3種の原料ガスの流量を設定して成膜することを特徴とするPZT膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316
, H01L 21/31
, C23C 16/40
H01L21/316 X
, H01L21/31 B
, C23C16/40
4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030BA18
, 4K030BA22
, 4K030BA42
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA03
, 4K030FA10
, 4K030JA06
, 4K030JA10
, 4K030KA22
, 4K030KA26
, 4K030KA39
, 5F045AA04
, 5F045AB31
, 5F045AC07
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AD10
, 5F045BB02
, 5F045DP03
, 5F045EC09
, 5F045EE02
, 5F045EE03
, 5F045EE12
, 5F045EF05
, 5F058BC03
, 5F058BF06
, 5F058BF27
, 5F058BF37
