特許
J-GLOBAL ID：201403010067154518

マスクプログラム可能なアンチヒューズ構造

発明者：
ウロデック・クルジャノウィッズ

ウロデック・クルジャノウィッズ について


出願人/特許権者：
シデンス・コーポレーション

シデンス・コーポレーション について


代理人 (4件)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-220004
公開番号（公開出願番号）：特開2014-045209
出願日： 2013年10月23日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
要約：
【課題】ワードライン及びビットラインに接続されると共に、マスクプログラムが可能で、かつワンタイムプログラムが可能なメモリセルを有するメモリアレイを提供する。【解決手段】メモリアレイの全てのメモリセルは、ワンタイムプログラム可能なメモリセルとして構成される。あらゆる数のこれらのワンタイムプログラム可能なメモリセルは、拡散マスクプログラミングもしくは接点/ビアマスクプログラミングのようなマスクプログラミングによって、マスクプログラム可能なメモリセルに変換できる。両方のタイプのメモリセルが、同じ材料で構成されるので、そのようなハイブリッドメモリアレイの製造は単純化され、従って、わずか1つの共通の製造工程のステップが必要とされる。マスクプログラム可能なメモリセルの不注意なユーザプログラミングは、プログラミングロック回路によって抑制されている。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
対応するビットライン及び共通のワードラインに接続された電気的にプログラム可能なアンチヒューズメモリセルと、 有効性ビットを保存するために別のビットライン及び共通のワードラインに接続されたマスクプログラムされたメモリセルと を備えることを特徴とするハイブリッドメモリ。
IPC (5件)：
H01L 27/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/112 ,  G11C 16/04 ,  G11C 17/06
FI (4件)：
H01L27/10 431 ,  H01L27/10 433 ,  G11C17/00 625 ,  G11C17/06 Z
Fターム (24件)：
5B125BA11 ,  5B125BA16 ,  5B125CA08 ,  5B125CA30 ,  5B125DA09 ,  5B125DB12 ,  5B125EA08 ,  5B125EC03 ,  5B125EC05 ,  5B125EC06 ,  5B125ED10 ,  5B125EF06 ,  5B125EG02 ,  5B125EG08 ,  5B125EG14 ,  5B125FA07 ,  5F083CR02 ,  5F083CR03 ,  5F083CR14 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA17
引用特許：
審査官引用 (3件)

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