特許
J-GLOBAL ID：201403011046105530
デザイナ・インテント・データを使用するウェハとレチクルの検査の方法およびシステム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-161037
公開番号（公開出願番号）：特開2013-254974
出願日： 2013年08月02日
公開日（公表日）： 2013年12月19日
要約：
【課題】デザイナ・インテント・データを使用してウェハとレチクルを検査する方法とシステムを提供する。【解決手段】コンピュータで実施される方法の1つに、ウェハの検査の前にウェハ上でパターンを形成するのに使用されるレチクルの検査によって作られた検査データに基づいてウェハ上のニューサンス欠陥を識別することを含む。もう1つのコンピュータで実施される方法に、ウェハの検査によって生成されたデータを、レチクルの部分の異なるタイプを識別する指定を含むレチクルを表すデータと組み合わせて分析することによって、ウェハ上で欠陥を検出することを含む。追加のコンピュータで実施される方法に、ウェハに形成されたデバイスの特性を変更する欠陥に基づいて、ウェハの処理に使用される製造プロセスのプロパティを決定することを含む。もう1つのコンピュータで実施される方法は、ウェハの検査によって生成されたデータに基づいて集積回路の設計の1つまたは複数の特性を変更またはシミュレートすることが含まれる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
所定の範囲の外となった機能性を有する1つまたは複数の電気要素を含む不良ダイをウェハ上で識別することと、
1つまたは複数の電気要素の設計を表す情報と組み合わせて、ウェハの検査によって生成されたデータに基づいて、ウェハ上の欠陥の第1部分と欠陥の第2部分を識別することであって、その欠陥の第1部分が、1つまたは複数の電気要素によって形成されるデバイスの特性が所定の限度の外になるように特性が変わっている、識別することと、
欠陥の第1部分に基づいて、ウェハを処理するのに使用される製造プロセスのプロパティを決定することと
を含む、コンピュータで実施される方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, H01L 21/027
, G03F 1/84
H01L21/66 J
, H01L21/30 502V
, G03F1/84
2H095BD03
, 2H095BD04
, 2H095BD05
, 2H095BD28
, 4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106AA09
, 4M106BA02
, 4M106BA04
, 4M106CA39
, 4M106DB21
, 4M106DJ18
, 4M106DJ21
, 4M106DJ27
, 4M106DJ38
