特許
J-GLOBAL ID：201403011518354385

ガスバリアーフィルム、素子デバイス及びガスバリアーフィルムの製造方法

発明者：
西尾 昌二

西尾 昌二 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタ株式会社

コニカミノルタ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人光陽国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-126048
公開番号（公開出願番号）：特開2014-237317
出願日： 2014年06月19日
公開日（公表日）： 2014年12月18日
要約：
【課題】高温高湿の使用環境下でも十分なガスバリアー性を有し、フィルムを屈曲させた場合においてもガスバリアー性の低下が十分に抑制され、クラック耐性にも優れたガスバリアーフィルムを提供する。【解決手段】基材1の少なくとも一方の面にケイ素、及び酸素を含有するガスバリアー層3を備えたガスバリアーフィルム1aであって、ガスバリアー層3についてのX線光電子分光法による深さ方向の元素分布測定に基づく酸素分布曲線において、基材1側のガスバリアー層3表面に最も近い酸素分布曲線の極大値が、ガスバリアー層3内の酸素分布曲線の極大値の中で最大値をとるガスバリアーフィルム1a。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
基材の少なくとも一方の面にケイ素、及び酸素を含有するガスバリアー層を備えたガスバリアーフィルムであって、当該ガスバリアー層についてのX線光電子分光法による深さ方向の元素分布測定に基づく酸素分布曲線において、基材側のガスバリアー層表面に最も近い酸素分布曲線の極大値が、当該ガスバリアー層内の酸素分布曲線の極大値の中で最大値をとることを特徴とするガスバリアーフィルム。
IPC (3件)：
B32B 9/00 ,  C23C 16/54 ,  C23C 16/42
FI (3件)：
B32B9/00 A ,  C23C16/54 ,  C23C16/42
Fターム (52件)：
4F100AA12D ,  4F100AA16B ,  4F100AA16C ,  4F100AA20B ,  4F100AA20C ,  4F100AA20D ,  4F100AK01A ,  4F100AK25E ,  4F100AK42 ,  4F100AK79D ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA05 ,  4F100BA06 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100BA10D ,  4F100CC00E ,  4F100EH66B ,  4F100EH66C ,  4F100EJ38 ,  4F100EJ54D ,  4F100EJ59D ,  4F100EJ65E ,  4F100GB41 ,  4F100JD02B ,  4F100JD02C ,  4F100JD02D ,  4F100JD04 ,  4F100JK04 ,  4F100JK14 ,  4F100JK17A ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4F100YY00D ,  4F100YY00E ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA27 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  4K030CA07 ,  4K030CA17 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030GA14 ,  4K030KA16 ,  4K030KA34 ,  4K030LA01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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