特許
J-GLOBAL ID:201203086882164848

積層フィルム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 棚井 澄雄 ,  ▲廣▼保 直純 ,  荒 則彦 ,  加藤 広之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-228916
公開番号(公開出願番号):特開2012-081632
出願日: 2010年10月08日
公開日(公表日): 2012年04月26日
要約:
【課題】十分なガスバリア性を有しており、しかもフィルムを屈曲させた場合においてもガスバリア性の低下を十分に抑制することが可能であり、かつ反りが軽減された積層フィルムを提供すること。【解決手段】基材と、前記基材の両方の表面上に形成された少なくとも1層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層が珪素、酸素及び炭素を含有しており、且つ、前記薄膜層の膜厚方向における前記薄膜層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線が特定の条件を満たすことを特徴とする積層フィルム。【選択図】なし
請求項(抜粋):
基材と、前記基材の両方の表面上に形成された少なくとも1層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、 前記薄膜層が珪素、酸素及び炭素を含有しており、且つ、 該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する珪素原子の量の比率(珪素の原子比)、酸素原子の量の比率(酸素の原子比)及び炭素原子の量の比率(炭素の原子比)との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線において、下記条件(i)〜(iii): (i)珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の90%以上の領域において下記式(1): (酸素の原子比)>(珪素の原子比)>(炭素の原子比)・・・(1) で表される条件を満たすこと、或いは、珪素の原子比、酸素の原子比及び炭素の原子比が、該層の膜厚の90%以上の領域において下記式(2): (炭素の原子比)>(珪素の原子比)>(酸素の原子比)・・・(2) で表される条件を満たすこと、 (ii)前記炭素分布曲線が少なくとも1つの極値を有すること、 (iii)前記炭素分布曲線における炭素の原子比の最大値及び最小値の差の絶対値が5at%以上であること、 を全て満たすことを特徴とする積層フィルム。
IPC (5件):
B32B 9/00 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/02 ,  C23C 16/42
FI (5件):
B32B9/00 A ,  H05B33/14 A ,  H05B33/04 ,  H05B33/02 ,  C23C16/42
Fターム (49件):
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC23 ,  3K107CC43 ,  3K107DD17 ,  3K107DD18 ,  3K107DD19 ,  3K107EE45 ,  3K107EE48 ,  3K107EE50 ,  3K107FF00 ,  3K107FF14 ,  3K107GG03 ,  3K107HH04 ,  3K107HH05 ,  4F100AA16B ,  4F100AA16C ,  4F100AA20B ,  4F100AA20C ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA05 ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100BA10D ,  4F100BA10E ,  4F100EH66B ,  4F100EH66C ,  4F100EJ61B ,  4F100EJ61C ,  4F100GB41 ,  4F100JD02 ,  4F100JD04 ,  4F100JK09D ,  4F100JK09E ,  4F100JK11 ,  4F100JL04 ,  4F100YY00 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030AA14 ,  4K030BB11 ,  4K030FA03 ,  4K030GA14 ,  4K030JA06 ,  4K030KA16 ,  5F151BA11 ,  5F151JA05
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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