特許
J-GLOBAL ID:201403011771965498

酸化物結晶薄膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): SK特許業務法人 ,  奥野 彰彦 ,  伊藤 寛之
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-118358
特許番号:特許第5397794号
出願日: 2013年06月04日
要約:
【課題】炭素不純物濃度の低減と高い成膜速度を両立させることができ、かつ安定的な結晶構造の作り分けを可能にする薄膜製造方法を提供する 【解決手段】本発明によれば、ガリウム化合物とインジウム化合物の少なくとも一方と水とを含む原料溶液を微粒子化して生成される原料微粒子を成膜室に供給する工程を備え、前記ガリウム化合物とインジウム化合物の少なくとも一方は、臭化物又はヨウ化物である、酸化物結晶薄膜の製造方法が提供される。 【選択図】図1
請求項(抜粋):
【請求項1】ガリウム化合物とインジウム化合物の少なくとも一方と水とを含む原料溶液を微粒子化して生成される原料微粒子をキャリアガスによって成膜室に供給して前記成膜室内配置された被成膜試料上に酸化物結晶薄膜を形成する工程を備え、前記ガリウム化合物とインジウム化合物の少なくとも一方は、臭化物又はヨウ化物である、酸化物結晶薄膜の製造方法。
IPC (6件):
C30B 29/22 ( 200 6.01) ,  C30B 25/14 ( 200 6.01) ,  C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/368 ( 200 6.01) ,  C23C 16/40 ( 200 6.01)
FI (7件):
C30B 29/22 Z ,  C30B 29/22 A ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/16 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/368 Z ,  C23C 16/40
引用特許:
審査官引用 (3件)
引用文献:
審査官引用 (3件)

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