特許

J-GLOBAL ID：201403011859263060

AlNウィスカー、樹脂組成物、油脂組成物及びAlNウィスカーの製造方法

発明者： 青木 祐一 ,  小原 公和 ,  加納 豊広 ,  宇治原 徹 ,  松原 弘明 ,  水野 恒平 ,  竹内 幸久
出願人/特許権者： 株式会社デンソー ,  国立大学法人名古屋大学
代理人 (1件)： 特許業務法人 サトー国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-284934
公開番号（公開出願番号）：特開2014-073951
出願日： 2012年12月27日
公開日（公表日）： 2014年04月24日
要約：

【課題】粒状AlNの生成を抑制し、AlNウィスカーの生成効率を高めると共に、AlNウィスカーに炭素が混入する可能性を低減し、炭素を除去する処理を不要とすることができるAlNウィスカーの製造方法を提供する。【解決手段】Al-Ti-Siを主成分とする材料をアルミナボート7に配置し、その材料を加熱して溶液9とし、窒素雰囲気下でAlNウィスカー11を成長させる。Al-Ti-Siの組成により、粒状AlNの生成を抑制し、AlNウィスカー11を優先して成長させることができる。又、カーボンブラックを原材料として用いないので、AlNウィスカー11が成長する際に炭素が不純物として混入する可能性を低減することができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

Alを原材料とし、窒素雰囲気下でSiを成長活性剤として成長したことを特徴とするAlNウィスカー。

IPC (5件)：

C30B 29/62 ,  C30B 23/08 ,  C01B 21/072 ,  C08L 101/00 ,  C08K 3/28

FI (5件)：

C30B29/62 Q ,  C30B23/08 Z ,  C01B21/072 F ,  C08L101/00 ,  C08K3/28

Fターム (13件)：

4G077AA04 ,  4G077AB09 ,  4G077BE13 ,  4G077DA02 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077HA20 ,  4G077SA02 ,  4G077SA07 ,  4J002AA011 ,  4J002AA021 ,  4J002DF016 ,  4J002FA066

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 高アスペクト比を有する窒化アルミニウム、その製造方法、それを用いた樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-318998   出願人：三菱化学株式会社
• AlNウィスカー複合材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-125257   出願人：同和鉱業株式会社
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-202335   出願人：三菱電機株式会社
• AlN単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-341249   出願人：住友金属工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 高アスペクト比を有する窒化アルミニウム、その製造方法、それを用いた樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-318998   出願人：三菱化学株式会社
• AlNウィスカー複合材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-125257   出願人：同和鉱業株式会社
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-202335   出願人：三菱電機株式会社
• AlN単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-341249   出願人：住友金属工業株式会社