特許
J-GLOBAL ID：201403012249683071

半導体装置

発明者：
海老原 洪平

海老原 洪平 について

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田口 健介

田口 健介 について

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楢崎 敦司

楢崎 敦司 について

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高野 和豊

高野 和豊 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-180327
公開番号（公開出願番号）：特開2014-038937
出願日： 2012年08月16日
公開日（公表日）： 2014年02月27日
要約：
【課題】pn接合部から耐圧保持構造の内側に広がる空乏層の端部周辺における電界集中を充分に緩和することができ、充分に高い耐圧を有する半導体装置を提供する。【解決手段】n型の半導体基板11に形成される半導体素子3を囲繞するp型の終端領域2に、遷移領域71とリサーフ領域72とを形成する。遷移領域71を、p型不純物濃度が半導体素子3の外周部側から半導体基板11の外周部側に向かうに従って減少し、かつ半導体基板11の厚み方向に垂直な方向における単位長さあたりのp型不純物濃度の変化量が、半導体素子3の外周部側から半導体基板11の外周部側に向かうに従って小さくなるように形成する。リサーフ領域72を、p型不純物濃度が、遷移領域31のp型不純物濃度の最小値以下であり、かつ一様になるように形成する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板に形成される半導体素子と、 前記半導体素子を囲繞して前記半導体基板に形成される第2導電型の終端領域とを有し、 前記終端領域は、 前記半導体基板の厚み方向に垂直な方向において、前記半導体素子の外周部側の部分に形成され、第2導電型の不純物の濃度である第2導電型不純物濃度が、前記半導体素子の外周部側から前記半導体基板の外周部側に向かうに従って減少する遷移領域と、 前記厚み方向に垂直な方向において、前記遷移領域よりも前記半導体基板の外周部側の部分に形成され、前記遷移領域に連なり、前記第2導電型不純物濃度が、前記遷移領域の第2導電型不純物濃度の最小値以下であり、かつ一様なリサーフ領域とを含み、 前記遷移領域は、前記厚み方向に垂直な方向における単位長さあたりの前記第2導電型不純物濃度の変化量が、前記半導体素子の外周部側から前記半導体基板の外周部側に向かうに従って小さくなることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/06 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868
FI (7件)：
H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301D ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/91 D
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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