特許
J-GLOBAL ID：201103063414958678
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-026406
公開番号（公開出願番号）：特開2011-165856
出願日： 2010年02月09日
公開日（公表日）： 2011年08月25日
要約：
【課題】一度のマスク工程によって不純物濃度の異なる複数の不純物領域を形成することが可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置の製造方法は、(a)炭化珪素半導体層上に複数の単位マスクよりなる注入マスクを形成する工程と、(b)注入マスクを用いて炭化珪素半導体層に所定の注入エネルギーで所定のイオンを注入する工程と、を備える。工程(a)では、単位マスク内の任意の点から単位マスクの端までの距離を、所定の注入エネルギーで所定のイオンを炭化珪素に注入した場合の散乱距離以下とし、単位マスクの寸法と配置間隔が異なる複数の領域を持つように注入マスクを形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
(a)炭化珪素半導体層上に複数の単位マスクよりなる注入マスクを形成する工程と、
(b)前記注入マスクを用いて前記炭化珪素半導体層に所定の注入エネルギーで所定のイオンを注入する工程と、を備え、
前記工程(a)は、前記単位マスク内の任意の点から前記単位マスクの端までの距離を、前記所定の注入エネルギーで前記所定のイオンを炭化珪素に注入した場合の散乱距離以下とし、前記単位マスクの寸法と配置間隔が異なる複数の領域を持つように前記注入マスクを形成する工程である、炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/266
, H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/06
, H01L 21/265
, H01L 29/739
, H01L 21/28
H01L21/265 M
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 658A
, H01L29/78 652P
, H01L21/265 Z
, H01L29/78 655F
, H01L29/06 301G
, H01L21/28 301B
4M104AA03
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 4M104GG09
, 4M104HH18
