特許
J-GLOBAL ID：201403013002251507

基板製造方法

発明者：
大石 明光

大石 明光 について

, 
村上 彰一

村上 彰一 について


出願人/特許権者：
SPPテクノロジーズ株式会社

SPPテクノロジーズ株式会社 について


代理人 (1件)： 村上 智司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-171099
公開番号（公開出願番号）：特開2014-017497
出願日： 2013年08月21日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
要約：
【課題】酸化物からなる強誘電体膜が上部電極膜及び下部電極膜によって挟まれた構造を備える基板をプラズマエッチングする場合に、強誘電体膜のエッチングが進んで露出した下部電極までエッチングされるのを防止することができる基板製造方法を提供する。【解決手段】上部電極膜54を所定形状のマスクパターンに形成するマスク形成工程と、フルオロカーボンガスをエッチングガスとして用い、上部電極膜54自体をマスクとして、強誘電体膜53を下部電極膜52が露出するまで、バイアス電位を印加してプラズマエッチングする強誘電体膜エッチング工程とを順次実施するとともに、強誘電体膜エッチング工程では、強誘電体膜53のエッチングにより生じる酸素原子によって、フルオロカーボンガスのプラズマ化により生成される重合物がエッチング加工部の底面に堆積するのを防止しつつ、強誘電体膜53をエッチングする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に下部電極膜、上部電極膜及び酸化物からなる強誘電体膜を有し、少なくとも強誘電体膜にエッチング加工が施された基板を製造する方法であって、 基板上に下部電極膜を形成する工程と、 前記下部電極膜上に前記強誘電体膜を形成する工程と、 前記強誘電体膜上に前記上部電極膜を形成する工程と、 前記上部電極膜を所定形状のマスクパターンに形成するマスク形成工程と、 フルオロカーボンガス、又はフルオロカーボンガスとヘリウムガスとの混合ガスを含み、塩素ガスを含まないエッチングガスを用い、前記上部電極膜自体をマスクとして、前記強誘電体膜を前記下部電極膜が露出するまで、バイアス電力を印加してプラズマエッチングする強誘電体膜エッチング工程とを順次実施するようにし、 前記下部電極膜及び上部電極膜の内、少なくとも一方は酸素原子を含まない材料で構成することを特徴とする基板製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105
FI (4件)：
H01L21/302 101C ,  H01L21/302 104Z ,  H01L21/28 301R ,  H01L27/10 444C
Fターム (23件)：
4M104AA01 ,  4M104BB06 ,  4M104DD65 ,  4M104GG16 ,  5F004BA09 ,  5F004BA20 ,  5F004CA05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DB08 ,  5F004DB13 ,  5F004EA05 ,  5F004EA13 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083PR03
引用特許：
審査官引用 (3件)

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